品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
生产批次:{"16+":150000,"17+":50000,"19+":9850}
销售单位:个
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:202mW
晶体管类型:1个PNP-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
生产批次:{"05+":162000,"12+":105000,"16+":105000}
销售单位:个
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):160@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:230mW
晶体管类型:1个PNP-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
生产批次:{"17+":291426,"MI+":2000}
销售单位:个
包装方式:剪切带(CT)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):30@5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:300mW
晶体管类型:1个PNP-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
生产批次:{"05+":3000,"08+":57000,"MI+":1339}
销售单位:个
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):125@800mA,1V
集电极电流(Ic):3A
集射极击穿电压(Vceo):30V
功率:3W
晶体管类型:1个PNP-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:246mW
晶体管类型:1个PNP-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:246mW
晶体管类型:1个PNP-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:246mW
晶体管类型:1个PNP-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:202mW
晶体管类型:1个PNP-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
直流增益(hFE@Ic,Vce):30@5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:300mW
晶体管类型:1个PNP-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):68@5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:200mW
晶体管类型:1个PNP-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:202mW
晶体管类型:1个PNP-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
生产批次:{"06+":108000,"13+":102000}
销售单位:个
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:230mW
晶体管类型:1个PNP-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
生产批次:{"17+":102000}
销售单位:个
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):160@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:202mW
晶体管类型:1个PNP-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
生产批次:{"04+":18000,"08+":60000}
销售单位:个
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:230mW
晶体管类型:1个PNP-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:246mW
晶体管类型:1个PNP-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
销售单位:个
直流增益(hFE@Ic,Vce):35@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:200mW
晶体管类型:1个PNP-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:246mW
晶体管类型:1个PNP-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:{"05+":3000,"08+":57000,"MI+":1339}
销售单位:个
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):125@800mA,1V
集电极电流(Ic):3A
集射极击穿电压(Vceo):30V
功率:3W
晶体管类型:1个PNP-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:246mW
晶体管类型:1个PNP-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
销售单位:个
直流增益(hFE@Ic,Vce):35@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:200mW
晶体管类型:1个PNP-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:246mW
晶体管类型:1个PNP-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:246mW
晶体管类型:1个PNP-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:202mW
晶体管类型:1个PNP-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:202mW
晶体管类型:1个PNP-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
生产批次:{"19+":48000,"20+":75000}
销售单位:个
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):68@5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:200mW
晶体管类型:1个PNP-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
包装方式:剪切带(CT)
直流增益(hFE@Ic,Vce):30@5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:300mW
晶体管类型:1个PNP-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:246mW
晶体管类型:1个PNP-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):3@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:202mW
晶体管类型:1个PNP-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
直流增益(hFE@Ic,Vce):15@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:260mW
晶体管类型:1个PNP-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
销售单位:个
直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:246mW
晶体管类型:1个PNP-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存: