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品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"08+"：321000}
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 300µA，10mA / 650mV @ 5mA，100mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：47千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 5mA，10V / 220 @ 2mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：47千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V，65V
功率：230mW
晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 5mA，10mA / 500mV @ 5mA，50mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：47千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 5mA，10V / 120 @ 5mA，10V
集电极电流(Ic)：150mA
输入电阻：22千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：140MHz
功率：250mW
晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"02+"：5970，"04+"：6000}
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 5mA，10mA / 500mV @ 5mA，50mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：47千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 5mA，10V / 120 @ 5mA，10V
集电极电流(Ic)：150mA
输入电阻：22千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：140MHz
功率：250mW
晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 5mA，10mA / 500mV @ 5mA，50mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：47千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 5mA，10V / 120 @ 5mA，10V
集电极电流(Ic)：150mA
输入电阻：22千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：140MHz
功率：250mW
晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 5mA，10mA / 500mV @ 5mA，50mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：47千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 5mA，10V / 120 @ 5mA，10V
集电极电流(Ic)：150mA
输入电阻：22千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：140MHz
功率：250mW
晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 5mA，10mA / 500mV @ 5mA，50mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：47千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 5mA，10V / 120 @ 5mA，10V
集电极电流(Ic)：150mA
输入电阻：22千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：140MHz
功率：250mW
晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 5mA，10mA / 500mV @ 5mA，50mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：47千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 5mA，10V / 120 @ 5mA，10V
集电极电流(Ic)：150mA
输入电阻：22千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：140MHz
功率：250mW
晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"08+"：65000}
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 300µA，10mA / 300mV @ 500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：10千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：35 @ 5mA，10V / 220 @ 2mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V，65V
功率：230mW
晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 5mA，10mA / 500mV @ 5mA，50mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：47千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 5mA，10V / 120 @ 5mA，10V
集电极电流(Ic)：150mA
输入电阻：22千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：140MHz
功率：250mW
晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 5mA，10mA / 500mV @ 5mA，50mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：47千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 5mA，10V / 120 @ 5mA，10V
集电极电流(Ic)：150mA
输入电阻：22千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：140MHz
功率：250mW
晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 5mA，10mA / 500mV @ 5mA，50mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：47千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 5mA，10V / 120 @ 5mA，10V
集电极电流(Ic)：150mA
输入电阻：22千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：140MHz
功率：250mW
晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 300µA，10mA / 650mV @ 5mA，100mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：47千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 5mA，10V / 220 @ 2mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：47千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V，65V
功率：230mW
晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"06+"：1048000}
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 300µA，10mA / 250mV @ 10mA，200mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：47千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 5mA，10V / 270 @ 10mA，2V
集电极电流(Ic)：100mA，500mA
输入电阻：47千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V，12V
功率：500mW
晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 5mA，10mA / 500mV @ 5mA，50mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：47千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 5mA，10V / 120 @ 5mA，10V
集电极电流(Ic)：150mA
输入电阻：22千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：140MHz
功率：250mW
晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 5mA，10mA / 500mV @ 5mA，50mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：47千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 5mA，10V / 120 @ 5mA，10V
集电极电流(Ic)：150mA
输入电阻：22千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：140MHz
功率：250mW
晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 5mA，10mA / 500mV @ 5mA，50mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：47千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 5mA，10V / 120 @ 5mA，10V
集电极电流(Ic)：150mA
输入电阻：22千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：140MHz
功率：250mW
晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 5mA，10mA / 500mV @ 5mA，50mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：47千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 5mA，10V / 120 @ 5mA，10V
集电极电流(Ic)：150mA
输入电阻：22千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：140MHz
功率：250mW
晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 5mA，10mA / 500mV @ 5mA，50mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：47千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 5mA，10V / 120 @ 5mA，10V
集电极电流(Ic)：150mA
输入电阻：22千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：140MHz
功率：250mW
晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP
包装清单：商品主体 * 1
库存：
