采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"03+"：2400，"04+"：173950，"05+"：258000，"06+"：3000，"09+"：108000}
销售单位：个
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：338mW
晶体管类型：1个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"02+"：54000，"04+"：39000，"05+"：21000，"06+"：78000，"07+"：96000}
销售单位：个
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：202mW
晶体管类型：1个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
销售单位：个
直流增益(hFE@Ic，Vce)：35@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：200mW
晶体管类型：1个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
直流增益(hFE@Ic，Vce)：160@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：200mW
晶体管类型：1个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：260mW
晶体管类型：1个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：200mW
晶体管类型：1个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：22kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：246mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：200mW
晶体管类型：1个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：338mW
晶体管类型：1个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"18+"：207000}
销售单位：个
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：200mW
晶体管类型：1个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"06+"：30000}
销售单位：个
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：35@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：310mW
晶体管类型：1个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"17+"：120699，"MI+"：15000}
销售单位：个
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：200mW
晶体管类型：1个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"9999"：12000}
销售单位：个
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：200mW
晶体管类型：1个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：200mW
晶体管类型：1个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
直流增益(hFE@Ic，Vce)：160@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：200mW
晶体管类型：1个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
直流增益(hFE@Ic，Vce)：160@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：200mW
晶体管类型：1个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：200mW
晶体管类型：1个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：200mW
晶体管类型：1个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：200mW
晶体管类型：1个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"18+"：30000}
销售单位：个
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：200mW
晶体管类型：1个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"03+"：27000}
销售单位：个
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：200mW
晶体管类型：1个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"17+"：255000}
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：200mW
晶体管类型：1个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
销售单位：个
直流增益(hFE@Ic，Vce)：35@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：246mW
晶体管类型：1个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：35@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：310mW
晶体管类型：1个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
功率：310mW
直流增益(hFE@Ic，Vce)：35@5mA，10V
ECCN：EAR99
集射极击穿电压(Vceo)：50V
晶体管类型：1个NPN-预偏置
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"02+"：54000，"04+"：39000，"05+"：21000，"06+"：78000，"07+"：96000}
销售单位：个
功率：202mW
ECCN：EAR99
集射极击穿电压(Vceo)：50V
晶体管类型：1个NPN-预偏置
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
销售单位：个
功率：200mW
直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@5mA，10V
集射极击穿电压(Vceo)：50V
晶体管类型：1个NPN-预偏置
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：310mW
晶体管类型：1个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：202mW
晶体管类型：1个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：246mW
晶体管类型：1个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
