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品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"06+"：63771，"08+"：56000，"13+"：104000}
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：270@10mA，2V€80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：500mA€100mA
集射极击穿电压(Vceo)：12V€50V
功率：500mW
晶体管类型：1个NPN-预偏置，1个PNP
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"06+"：12000，"11+"：188000，"14+"：100000，"16+"：100000}
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@1mA，10V€80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：200mA€100mA
集射极击穿电压(Vceo)：40V€50V
功率：500mW
晶体管类型：1个NPN-预偏置，1个PNP
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
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包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：187mW
晶体管类型：1个NPN-预偏置，1个PNP
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
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包装方式：卷带（TR）
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功率：187mW
晶体管类型：1个NPN-预偏置，1个PNP
包装清单：商品主体 * 1
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分类：数字晶体管
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：187mW
晶体管类型：1个NPN-预偏置，1个PNP
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品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
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包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@1mA，10V€80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：200mA€100mA
集射极击穿电压(Vceo)：40V€50V
功率：500mW
晶体管类型：1个NPN-预偏置，1个PNP
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
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包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：120@1mA，6V€80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：60V€50V
功率：500mW
晶体管类型：1个NPN-预偏置，1个PNP
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"06+"：63771，"08+"：56000，"13+"：104000}
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：270@10mA，2V€80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：500mA€100mA
集射极击穿电压(Vceo)：12V€50V
功率：500mW
晶体管类型：1个NPN-预偏置，1个PNP
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"06+"：12000，"11+"：188000，"14+"：100000，"16+"：100000}
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@1mA，10V€80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：200mA€100mA
集射极击穿电压(Vceo)：40V€50V
功率：500mW
晶体管类型：1个NPN-预偏置，1个PNP
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
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包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：187mW
晶体管类型：1个NPN-预偏置，1个PNP
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"06+"：32000，"08+"：88000，"11+"：144000}
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：120@1mA，6V€80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：60V€50V
功率：500mW
晶体管类型：1个NPN-预偏置，1个PNP
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
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包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：270@10mA，2V€80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：500mA€100mA
集射极击穿电压(Vceo)：12V€50V
功率：500mW
晶体管类型：1个NPN-预偏置，1个PNP
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：270@10mA，2V€80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：500mA€100mA
集射极击穿电压(Vceo)：12V€50V
功率：500mW
晶体管类型：1个NPN-预偏置，1个PNP
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
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包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：120@1mA，6V€80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：60V€50V
功率：500mW
晶体管类型：1个NPN-预偏置，1个PNP
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
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包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：187mW
晶体管类型：1个NPN-预偏置，1个PNP
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
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包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：187mW
晶体管类型：1个NPN-预偏置，1个PNP
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：187mW
晶体管类型：1个NPN-预偏置，1个PNP
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：187mW
晶体管类型：1个NPN-预偏置，1个PNP
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：187mW
晶体管类型：1个NPN-预偏置，1个PNP
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：187mW
晶体管类型：1个NPN-预偏置，1个PNP
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
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包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：187mW
晶体管类型：1个NPN-预偏置，1个PNP
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：187mW
晶体管类型：1个NPN-预偏置，1个PNP
包装清单：商品主体 * 1
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