品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
生产批次:{"21+":24000}
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):35@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:10kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:254mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):160@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:10kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:202mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):35@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:246mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
生产批次:{"10+":1643,"12+":10277,"13+":3397,"15+":2000,"17+":2439,"19+":13}
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):35@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:10kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:246mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):160@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:202mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
生产批次:{"06+":52320,"07+":18000,"08+":3000,"10+":72000,"13+":186000,"15+":108000,"16+":108000,"MI+":18000}
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):160@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:10kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:338mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):35@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:10kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:202mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:47kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:246mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:202mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):35@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:10kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:230mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
生产批次:{"09+":152000,"11+":98746}
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:10kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:254mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:47kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:230mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
生产批次:{"17+":93000,"21+":2900}
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@5mA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:47kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:200mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
生产批次:{"08+":6000,"09+":99000}
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:剪切带(CT)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):60@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:22kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:338mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):35@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:10kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:200mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:246mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):35@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:10kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:246mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:10kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:202mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:200mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:246mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:260mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:10kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:254mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:100kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:246mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@5mA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):8@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:338mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
生产批次:{"14+":317830}
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):15@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:254mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:260mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:10kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:246mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@5mA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):8@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:246mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):35@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:10kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:246mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
生产批次:{"06+":66000}
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:47kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:338mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存: