品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB55N10TM
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:3.75W(Ta),155W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:98 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2730 pF @ 25 V
连续漏极电流:55A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:26 毫欧 @ 27.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86540
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.1W(Ta),127W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6340 pF @ 30 V
连续漏极电流:21.5A(Ta),50A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:4.1 毫欧 @ 21.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD14N05SM9A
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:48W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:40 nC @ 20 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570 pF @ 25 V
连续漏极电流:14A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:100 毫欧 @ 14A,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86340
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.3W(Ta),54W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3885 pF @ 40 V
连续漏极电流:14A(Ta),48A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:6.5 毫欧 @ 14A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":176,"22+":45572,"23+":968,"MI+":3004}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL9401-F085
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:429W(Tj)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:296 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15900 pF @ 25 V
连续漏极电流:300A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:0.65 毫欧 @ 80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDH055N15A
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:429W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:92 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:9445 pF @ 75 V
连续漏极电流:158A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:5.9 毫欧 @ 120A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB082N15A
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:294W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:84 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6040 pF @ 25 V
连续漏极电流:117A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:8.2 毫欧 @ 75A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS3580
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800 pF @ 25 V
连续漏极电流:7.6A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:29 毫欧 @ 7.6A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86240
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.3W(Ta),40W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:905 pF @ 75 V
连续漏极电流:4.6A(Ta),16A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:51 毫欧 @ 4.6A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75645S3ST
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:310W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:238 nC @ 20 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3790 pF @ 25 V
连续漏极电流:75A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:14 毫欧 @ 75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75645S3ST
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:310W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:238 nC @ 20 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3790 pF @ 25 V
连续漏极电流:75A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:14 毫欧 @ 75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDT014
工作温度:-65°C~150°C(TJ)
功率:3W(Ta)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:11 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:155 pF @ 25 V
连续漏极电流:2.7A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:200 毫欧 @ 1.6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86326
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.1W(Ta),62W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1035 pF @ 50 V
连续漏极电流:8A(Ta),37A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:23 毫欧 @ 8A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDH055N15A
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:429W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:92 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:9445 pF @ 75 V
连续漏极电流:158A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:5.9 毫欧 @ 120A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP17P06
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:79W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:900 pF @ 25 V
连续漏极电流:17A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:120 毫欧 @ 8.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS2734
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2610 pF @ 100 V
连续漏极电流:3A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:117 毫欧 @ 3A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDT014
工作温度:-65°C~150°C(TJ)
功率:3W(Ta)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:11 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:155 pF @ 25 V
连续漏极电流:2.7A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:200 毫欧 @ 1.6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86326
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.1W(Ta),62W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1035 pF @ 50 V
连续漏极电流:8A(Ta),37A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:23 毫欧 @ 8A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD16N05SM9A
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:72W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80 nC @ 20 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:900 pF @ 25 V
连续漏极电流:16A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:47 毫欧 @ 16A,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86540
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.1W(Ta),127W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6340 pF @ 30 V
连续漏极电流:21.5A(Ta),50A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:4.1 毫欧 @ 21.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":694}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SFP9530
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:66W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:1035 pF @ 25 V
连续漏极电流:10.5A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:300 毫欧 @ 5.3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":380,"21+":2712,"22+":21084,"24+":15000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN86246
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:1.5W(Ta)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:225 pF @ 75 V
连续漏极电流:1.6A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:261 毫欧 @ 1.6A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS2734
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),78W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:42 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2365 pF @ 100 V
连续漏极电流:2.8A(Ta),14A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:122 毫欧 @ 2.8A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD13AN06A0
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:115W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:29 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1350 pF @ 25 V
连续漏极电流:9.9A(Ta),50A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:13.5 毫欧 @ 50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB55N10TM
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:3.75W(Ta),155W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:98 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2730 pF @ 25 V
连续漏极电流:55A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:26 毫欧 @ 27.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS3580
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800 pF @ 25 V
连续漏极电流:7.6A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:29 毫欧 @ 7.6A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75645S3ST
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:310W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:238 nC @ 20 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3790 pF @ 25 V
连续漏极电流:75A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:14 毫欧 @ 75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":16300,"MI+":5000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD2572
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:135W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1770 pF @ 25 V
连续漏极电流:4A(Ta),29A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:54 毫欧 @ 9A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP17P06
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:79W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:27 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:900 pF @ 25 V
连续漏极电流:17A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:120 毫欧 @ 8.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86540
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.1W(Ta),127W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6340 pF @ 30 V
连续漏极电流:21.5A(Ta),50A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:4.1 毫欧 @ 21.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: