品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC658P
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:1.6W(Ta)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:12 nC @ 5 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750 pF @ 15 V
连续漏极电流:4A(Ta)
类型:P 通道
导通电阻:50 毫欧 @ 4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC658P
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:1.6W(Ta)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12 nC @ 5 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750 pF @ 15 V
连续漏极电流:4A(Ta)
类型:P 通道
导通电阻:50 毫欧 @ 4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":3835}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4141
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:5W(Ta)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2670 pF @ 20 V
连续漏极电流:10.8A(Ta)
类型:P 通道
导通电阻:13 毫欧 @ 10.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":2919}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC658P
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:1.6W(Ta)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12 nC @ 5 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750 pF @ 15 V
连续漏极电流:4A(Ta)
类型:P 通道
导通电阻:50 毫欧 @ 4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDT456P
工作温度:-65°C~150°C(TJ)
功率:3W(Ta)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:67 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1440 pF @ 15 V
连续漏极电流:7.5A(Ta)
类型:P 通道
导通电阻:30 毫欧 @ 7.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDT456P
工作温度:-65°C~150°C(TJ)
功率:3W(Ta)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:67 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1440 pF @ 15 V
连续漏极电流:7.5A(Ta)
类型:P 通道
导通电阻:30 毫欧 @ 7.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD4141
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.4W(Ta),69W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2775 pF @ 20 V
连续漏极电流:10.8A(Ta),50A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:12.3 毫欧 @ 12.7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD4141
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.4W(Ta),69W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2775 pF @ 20 V
连续漏极电流:10.8A(Ta),50A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:12.3 毫欧 @ 12.7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDT456P
工作温度:-65°C~150°C(TJ)
功率:3W(Ta)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:67 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1440 pF @ 15 V
连续漏极电流:7.5A(Ta)
类型:P 通道
导通电阻:30 毫欧 @ 7.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD4141
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.4W(Ta),69W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:50 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2775 pF @ 20 V
连续漏极电流:10.8A(Ta),50A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:12.3 毫欧 @ 12.7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":145500,"MI+":25000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD4141
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.4W(Ta),69W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2775 pF @ 20 V
连续漏极电流:10.8A(Ta),50A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:12.3 毫欧 @ 12.7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDT456P
工作温度:-65°C~150°C(TJ)
功率:3W(Ta)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:67 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1440 pF @ 15 V
连续漏极电流:7.5A(Ta)
类型:P 通道
导通电阻:30 毫欧 @ 7.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":145500,"MI+":25000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD4141
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.4W(Ta),69W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2775 pF @ 20 V
连续漏极电流:10.8A(Ta),50A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:12.3 毫欧 @ 12.7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDT456P
工作温度:-65°C~150°C(TJ)
功率:3W(Ta)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:67 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1440 pF @ 15 V
连续漏极电流:7.5A(Ta)
类型:P 通道
导通电阻:30 毫欧 @ 7.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC658P
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:1.6W(Ta)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12 nC @ 5 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750 pF @ 15 V
连续漏极电流:4A(Ta)
类型:P 通道
导通电阻:50 毫欧 @ 4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC658P
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:1.6W(Ta)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12 nC @ 5 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750 pF @ 15 V
连续漏极电流:4A(Ta)
类型:P 通道
导通电阻:50 毫欧 @ 4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC658P
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:1.6W(Ta)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12 nC @ 5 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750 pF @ 15 V
连续漏极电流:4A(Ta)
类型:P 通道
导通电阻:50 毫欧 @ 4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":7017,"23+":1056}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDT456P
工作温度:-65°C~150°C(TJ)
功率:3W(Ta)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:67 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1440 pF @ 15 V
连续漏极电流:7.5A(Ta)
类型:P 通道
导通电阻:30 毫欧 @ 7.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD4141
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.4W(Ta),69W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2775 pF @ 20 V
连续漏极电流:10.8A(Ta),50A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:12.3 毫欧 @ 12.7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC658P
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:1.6W(Ta)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:12 nC @ 5 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750 pF @ 15 V
连续漏极电流:4A(Ta)
类型:P 通道
导通电阻:50 毫欧 @ 4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDT456P
工作温度:-65°C~150°C(TJ)
功率:3W(Ta)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:67 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1440 pF @ 15 V
连续漏极电流:7.5A(Ta)
类型:P 通道
导通电阻:30 毫欧 @ 7.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC658P
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:1.6W(Ta)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12 nC @ 5 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750 pF @ 15 V
连续漏极电流:4A(Ta)
类型:P 通道
导通电阻:50 毫欧 @ 4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD4141
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.4W(Ta),69W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:50 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2775 pF @ 20 V
连续漏极电流:10.8A(Ta),50A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:12.3 毫欧 @ 12.7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4141
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:5W(Ta)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:49 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2670 pF @ 20 V
连续漏极电流:10.8A(Ta)
类型:P 通道
导通电阻:13 毫欧 @ 10.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD4141
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.4W(Ta),69W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2775 pF @ 20 V
连续漏极电流:10.8A(Ta),50A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:12.3 毫欧 @ 12.7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD4141
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.4W(Ta),69W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2775 pF @ 20 V
连续漏极电流:10.8A(Ta),50A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:12.3 毫欧 @ 12.7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD4141
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.4W(Ta),69W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:50 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2775 pF @ 20 V
连续漏极电流:10.8A(Ta),50A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:12.3 毫欧 @ 12.7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD4141
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.4W(Ta),69W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:50 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2775 pF @ 20 V
连续漏极电流:10.8A(Ta),50A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:12.3 毫欧 @ 12.7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDT456P
工作温度:-65°C~150°C(TJ)
功率:3W(Ta)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:67 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1440 pF @ 15 V
连续漏极电流:7.5A(Ta)
类型:P 通道
导通电阻:30 毫欧 @ 7.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":145500,"MI+":25000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD4141
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.4W(Ta),69W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2775 pF @ 20 V
连续漏极电流:10.8A(Ta),50A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:12.3 毫欧 @ 12.7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: