品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC658P
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:1.6W(Ta)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:12 nC @ 5 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750 pF @ 15 V
连续漏极电流:4A(Ta)
类型:P 通道
导通电阻:50 毫欧 @ 4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC658P
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:1.6W(Ta)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12 nC @ 5 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750 pF @ 15 V
连续漏极电流:4A(Ta)
类型:P 通道
导通电阻:50 毫欧 @ 4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":2919}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC658P
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:1.6W(Ta)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12 nC @ 5 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750 pF @ 15 V
连续漏极电流:4A(Ta)
类型:P 通道
导通电阻:50 毫欧 @ 4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":506,"MI+":2500}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6630A
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7 nC @ 5 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460 pF @ 15 V
连续漏极电流:6.5A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:38 毫欧 @ 6.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7670
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),62W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4105 pF @ 15 V
连续漏极电流:21A(Ta),42A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:3.8 毫欧 @ 21A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7670
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),62W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:56 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4105 pF @ 15 V
连续漏极电流:21A(Ta),42A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:3.8 毫欧 @ 21A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":1139,"21+":2671,"22+":2248,"23+":9000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC8878
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:1.6W(Ta)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1040 pF @ 15 V
连续漏极电流:8A(Ta),8A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:16 毫欧 @ 8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":1118}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7692
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),27W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1350 pF @ 15 V
连续漏极电流:14A(Ta),28A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:7.5 毫欧 @ 13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7692
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),27W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1350 pF @ 15 V
连续漏极电流:14A(Ta),28A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:7.5 毫欧 @ 13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC8878
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:1.6W(Ta)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1040 pF @ 15 V
连续漏极电流:8A(Ta),8A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:16 毫欧 @ 8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC658P
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:1.6W(Ta)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12 nC @ 5 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750 pF @ 15 V
连续漏极电流:4A(Ta)
类型:P 通道
导通电阻:50 毫欧 @ 4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC8878
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:1.6W(Ta)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1040 pF @ 15 V
连续漏极电流:8A(Ta),8A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:16 毫欧 @ 8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC8878
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:1.6W(Ta)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1040 pF @ 15 V
连续漏极电流:8A(Ta),8A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:16 毫欧 @ 8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7670
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),62W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:56 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4105 pF @ 15 V
连续漏极电流:21A(Ta),42A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:3.8 毫欧 @ 21A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7692
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),27W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1350 pF @ 15 V
连续漏极电流:14A(Ta),28A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:7.5 毫欧 @ 13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC658P
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:1.6W(Ta)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12 nC @ 5 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750 pF @ 15 V
连续漏极电流:4A(Ta)
类型:P 通道
导通电阻:50 毫欧 @ 4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7670
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),62W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:56 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4105 pF @ 15 V
连续漏极电流:21A(Ta),42A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:3.8 毫欧 @ 21A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC658P
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:1.6W(Ta)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12 nC @ 5 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750 pF @ 15 V
连续漏极电流:4A(Ta)
类型:P 通道
导通电阻:50 毫欧 @ 4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC658P
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:1.6W(Ta)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:12 nC @ 5 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750 pF @ 15 V
连续漏极电流:4A(Ta)
类型:P 通道
导通电阻:50 毫欧 @ 4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7670
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),62W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:56 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4105 pF @ 15 V
连续漏极电流:21A(Ta),42A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:3.8 毫欧 @ 21A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC658P
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:1.6W(Ta)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12 nC @ 5 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750 pF @ 15 V
连续漏极电流:4A(Ta)
类型:P 通道
导通电阻:50 毫欧 @ 4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7670
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),62W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:56 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4105 pF @ 15 V
连续漏极电流:21A(Ta),42A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:3.8 毫欧 @ 21A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC8884
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:1.6W(Ta)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:7.4 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:465 pF @ 15 V
连续漏极电流:6.5A(Ta),8A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:23 毫欧 @ 6.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7692
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),27W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:22 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1350 pF @ 15 V
连续漏极电流:14A(Ta),28A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:7.5 毫欧 @ 13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7692
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),27W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1350 pF @ 15 V
连续漏极电流:14A(Ta),28A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:7.5 毫欧 @ 13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7670
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),62W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:56 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4105 pF @ 15 V
连续漏极电流:21A(Ta),42A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:3.8 毫欧 @ 21A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC8878
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:1.6W(Ta)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1040 pF @ 15 V
连续漏极电流:8A(Ta),8A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:16 毫欧 @ 8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7670
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),62W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:56 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4105 pF @ 15 V
连续漏极电流:21A(Ta),42A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:3.8 毫欧 @ 21A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC658P
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:1.6W(Ta)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12 nC @ 5 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750 pF @ 15 V
连续漏极电流:4A(Ta)
类型:P 通道
导通电阻:50 毫欧 @ 4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7670
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),62W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:56 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4105 pF @ 15 V
连续漏极电流:21A(Ta),42A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:3.8 毫欧 @ 21A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: