采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86106LZ
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.2W（Ta）
阈值电压：2.2V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315 pF @ 50 V
连续漏极电流：3.2A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：108 毫欧 @ 3.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86106LZ
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.2W（Ta）
阈值电压：2.2V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315 pF @ 50 V
连续漏极电流：3.2A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：108 毫欧 @ 3.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：7730}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86106LZ
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.2W（Ta）
阈值电压：2.2V @ 250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：315 pF @ 50 V
连续漏极电流：3.2A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：108 毫欧 @ 3.2A，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
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功率：2.2W（Ta）
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输入电容：315 pF @ 50 V
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类型：N 通道
导通电阻：108 毫欧 @ 3.2A，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDT86106LZ
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功率：2.2W（Ta）
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输入电容：315 pF @ 50 V
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导通电阻：108 毫欧 @ 3.2A，10V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDT86106LZ
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.2W（Ta）
阈值电压：2.2V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315 pF @ 50 V
连续漏极电流：3.2A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：108 毫欧 @ 3.2A，10V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDT86106LZ
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.2W（Ta）
阈值电压：2.2V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7 nC @ 10 V
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类型：N 通道
导通电阻：108 毫欧 @ 3.2A，10V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.51W（Ta），23.6W（Tc）
阈值电压：2.2V @ 250µA
栅极电荷：18.6 nC @ 10 V
输入电容：987 pF @ 15 V
连续漏极电流：16.4A（Ta），46A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：6.95 毫欧 @ 30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
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工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.51W（Ta），23.6W（Tc）
阈值电压：2.2V @ 250µA
栅极电荷：18.6 nC @ 10 V
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类型：N 通道
导通电阻：6.95 毫欧 @ 30A，10V
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工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.2W（Ta）
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输入电容：315 pF @ 50 V
连续漏极电流：3.2A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：108 毫欧 @ 3.2A，10V
漏源电压：100V
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连续漏极电流：3.2A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：108 毫欧 @ 3.2A，10V
漏源电压：100V
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行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.2W（Ta）
阈值电压：2.2V @ 250µA
栅极电荷：7 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315 pF @ 50 V
连续漏极电流：3.2A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：108 毫欧 @ 3.2A，10V
漏源电压：100V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDT86106LZ
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.2W（Ta）
阈值电压：2.2V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315 pF @ 50 V
连续漏极电流：3.2A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：108 毫欧 @ 3.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：7730}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86106LZ
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.2W（Ta）
阈值电压：2.2V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315 pF @ 50 V
连续漏极电流：3.2A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：108 毫欧 @ 3.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：7730}
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规格型号(MPN)：FDT86106LZ
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.2W（Ta）
阈值电压：2.2V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315 pF @ 50 V
连续漏极电流：3.2A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：108 毫欧 @ 3.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86106LZ
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.2W（Ta）
阈值电压：2.2V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315 pF @ 50 V
连续漏极电流：3.2A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：108 毫欧 @ 3.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.51W（Ta），23.6W（Tc）
阈值电压：2.2V @ 250µA
栅极电荷：18.6 nC @ 10 V
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连续漏极电流：16.4A（Ta），46A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：6.95 毫欧 @ 30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86106LZ
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.2W（Ta）
阈值电压：2.2V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315 pF @ 50 V
连续漏极电流：3.2A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：108 毫欧 @ 3.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.51W（Ta），23.6W（Tc）
阈值电压：2.2V @ 250µA
栅极电荷：18.6 nC @ 10 V
输入电容：987 pF @ 15 V
连续漏极电流：16.4A（Ta），46A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：6.95 毫欧 @ 30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86106LZ
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.2W（Ta）
阈值电压：2.2V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315 pF @ 50 V
连续漏极电流：3.2A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：108 毫欧 @ 3.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86106LZ
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.2W（Ta）
阈值电压：2.2V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315 pF @ 50 V
连续漏极电流：3.2A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：108 毫欧 @ 3.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.51W（Ta），23.6W（Tc）
阈值电压：2.2V @ 250µA
栅极电荷：18.6 nC @ 10 V
输入电容：987 pF @ 15 V
连续漏极电流：16.4A（Ta），46A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：6.95 毫欧 @ 30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.51W（Ta），23.6W（Tc）
阈值电压：2.2V @ 250µA
栅极电荷：18.6 nC @ 10 V
输入电容：987 pF @ 15 V
连续漏极电流：16.4A（Ta），46A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：6.95 毫欧 @ 30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
漏源电压：30V
栅极电荷：14 nC @ 4.5 V
输入电容：1950 pF @ 25 V
阈值电压：2.2V @ 250µA
导通电阻：4.1 毫欧 @ 45A，10V
连续漏极电流：22A（Ta），90A（Tc）
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：3.5W（Ta），57W（Tc）
类型：N 通道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
漏源电压：30V
栅极电荷：14 nC @ 4.5 V
输入电容：1950 pF @ 25 V
阈值电压：2.2V @ 250µA
导通电阻：4.1 毫欧 @ 45A，10V
连续漏极电流：22A（Ta），90A（Tc）
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：3.5W（Ta），57W（Tc）
类型：N 通道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJS5D0N03CTAG
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：11.2A（Ta）
漏源电压：30V
阈值电压：2.2V @ 250µA
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
导通电阻：4.38mOhm @ 10A，10V
栅极电荷：18 nC @ 10 V
类型：N 通道
功率：860mW（Ta）
输入电容：1255 pF @ 15 V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
