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    品牌: ON SEMI
    阈值电压: 2.2V @ 250µA
    漏源电压: 30V
    当前匹配商品:9
    商品信息
    参数
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    操作
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C10NBT1G 起订数300个
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C10NBT1G 起订数300个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2.51W(Ta),23.6W(Tc)

    阈值电压:2.2V @ 250µA

    栅极电荷:18.6 nC @ 10 V

    输入电容:987 pF @ 15 V

    连续漏极电流:16.4A(Ta),46A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:6.95 毫欧 @ 30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C10NBT1G 起订数1000个
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C10NBT1G 起订数1000个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2.51W(Ta),23.6W(Tc)

    阈值电压:2.2V @ 250µA

    栅极电荷:18.6 nC @ 10 V

    输入电容:987 pF @ 15 V

    连续漏极电流:16.4A(Ta),46A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:6.95 毫欧 @ 30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C10NBT1G 起订数500个
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C10NBT1G 起订数500个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2.51W(Ta),23.6W(Tc)

    阈值电压:2.2V @ 250µA

    栅极电荷:18.6 nC @ 10 V

    输入电容:987 pF @ 15 V

    连续漏极电流:16.4A(Ta),46A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:6.95 毫欧 @ 30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C10NBT1G 起订数5000个
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C10NBT1G 起订数5000个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2.51W(Ta),23.6W(Tc)

    阈值电压:2.2V @ 250µA

    栅极电荷:18.6 nC @ 10 V

    输入电容:987 pF @ 15 V

    连续漏极电流:16.4A(Ta),46A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:6.95 毫欧 @ 30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C10NBT1G 起订数7400个
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C10NBT1G 起订数7400个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2.51W(Ta),23.6W(Tc)

    阈值电压:2.2V @ 250µA

    栅极电荷:18.6 nC @ 10 V

    输入电容:987 pF @ 15 V

    连续漏极电流:16.4A(Ta),46A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:6.95 毫欧 @ 30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C10NBT1G 起订数3000个
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C10NBT1G 起订数3000个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2.51W(Ta),23.6W(Tc)

    阈值电压:2.2V @ 250µA

    栅极电荷:18.6 nC @ 10 V

    输入电容:987 pF @ 15 V

    连续漏极电流:16.4A(Ta),46A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:6.95 毫欧 @ 30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVD4C05NT4G 起订数300个
    onsemi Mosfet场效应管 NVD4C05NT4G 起订数300个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    漏源电压:30V

    栅极电荷:14 nC @ 4.5 V

    输入电容:1950 pF @ 25 V

    阈值电压:2.2V @ 250µA

    导通电阻:4.1 毫欧 @ 45A,10V

    连续漏极电流:22A(Ta),90A(Tc)

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:3.5W(Ta),57W(Tc)

    类型:N 通道

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVD4C05NT4G 起订数5000个
    onsemi Mosfet场效应管 NVD4C05NT4G 起订数5000个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    漏源电压:30V

    栅极电荷:14 nC @ 4.5 V

    输入电容:1950 pF @ 25 V

    阈值电压:2.2V @ 250µA

    导通电阻:4.1 毫欧 @ 45A,10V

    连续漏极电流:22A(Ta),90A(Tc)

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:3.5W(Ta),57W(Tc)

    类型:N 通道

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS5D0N03CTAG 起订30个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS5D0N03CTAG 起订30个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJS5D0N03CTAG

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:11.2A(Ta)

    漏源电压:30V

    阈值电压:2.2V @ 250µA

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    导通电阻:4.38mOhm @ 10A,10V

    栅极电荷:18 nC @ 10 V

    类型:N 通道

    功率:860mW(Ta)

    输入电容:1255 pF @ 15 V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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