采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86150
功率：156W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：80A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.85mΩ@10V，16A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP036N10A
工作温度：-55℃~+175℃
功率：333W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：116nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7.295nF@25V
连续漏极电流：120A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.6mΩ@75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86101
功率：2.5W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：12.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：8mΩ@10V，13A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQT5P10TF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：1个P沟道
导通电阻：1.05Ω@10V，500mA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB22P10TM
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.75W€125W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：50nC@10V
输入电容：1.5nF@25V
连续漏极电流：22A
类型：1个P沟道
导通电阻：125mΩ@10V，11A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC3612
功率：35W
阈值电压：4V@250μA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：110mΩ@10V，3.3A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP045N10A-F102
工作温度：-55℃~+175℃
功率：263W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5.27nF@50V
连续漏极电流：120A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.5mΩ@10V，100A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：17974}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86101
功率：2.5W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
连续漏极电流：12.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：8mΩ@10V，13A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC3612
功率：35W
阈值电压：4V@250μA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：110mΩ@10V，3.3A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQT5P10TF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：1个P沟道
导通电阻：1.05Ω@10V，500mA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC3612
功率：35W
阈值电压：4V@250μA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：110mΩ@10V，3.3A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFM120ATF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.4W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：22nC@10V
输入电容：480pF@25V
连续漏极电流：2.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：200mΩ@10V，1.15A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFM120ATF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.4W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：22nC@10V
输入电容：480pF@25V
连续漏极电流：2.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：200mΩ@10V，1.15A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFM120ATF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.4W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：22nC@10V
输入电容：480pF@25V
连续漏极电流：2.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：200mΩ@10V，1.15A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8622
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€31W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@50V
连续漏极电流：4.8A€16.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：56mΩ@10V，4.8A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS3692
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：746pF@25V
连续漏极电流：4.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@4.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC3612
功率：35W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：110mΩ@10V，3.3A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFM120ATF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.4W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：22nC@10V
输入电容：480pF@25V
连续漏极电流：2.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：200mΩ@10V，1.15A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC3612
功率：35W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：110mΩ@10V，3.3A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86106
工作温度：-55℃~+150℃
功率：5W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：208pF@50V
连续漏极电流：3.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：105mΩ@3.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8622
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€31W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@50V
连续漏极电流：4.8A€16.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：56mΩ@10V，4.8A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8622
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€31W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@50V
连续漏极电流：4.8A€16.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：56mΩ@10V，4.8A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS3692
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：746pF@25V
连续漏极电流：4.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@4.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS3692
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：746pF@25V
连续漏极电流：4.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@4.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQT5P10TF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：1个P沟道
导通电阻：1.05Ω@10V，500mA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC3612
功率：35W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：110mΩ@10V，3.3A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB22P10TM
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.75W€125W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：50nC@10V
输入电容：1.5nF@25V
连续漏极电流：22A
类型：1个P沟道
导通电阻：125mΩ@10V，11A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC3612
功率：35W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：110mΩ@10V，3.3A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDH3632
工作温度：-55℃~+175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6nF@25V
连续漏极电流：12A€80A
类型：1个N沟道
导通电阻：9mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86106
工作温度：-55℃~+150℃
功率：5W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：208pF@50V
连续漏极电流：3.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：105mΩ@3.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
