品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF190N15A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:33W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2.685nF@25V
连续漏极电流:27.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:19mΩ@27.4A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP083N15A-F102
工作温度:-55℃~+175℃
功率:294W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6.04nF@25V
连续漏极电流:83A
类型:1个N沟道
导通电阻:8.3mΩ@10V,75A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP083N15A-F102
工作温度:-55℃~+175℃
功率:294W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6.04nF@25V
连续漏极电流:83A
类型:1个N沟道
导通电阻:8.3mΩ@10V,75A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF190N15A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:33W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2.685nF@25V
连续漏极电流:27.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:19mΩ@27.4A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF190N15A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:33W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2.685nF@25V
连续漏极电流:27.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:19mΩ@27.4A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP083N15A-F102
工作温度:-55℃~+175℃
功率:294W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6.04nF@25V
连续漏极电流:83A
类型:1个N沟道
导通电阻:8.3mΩ@10V,75A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP083N15A-F102
工作温度:-55℃~+175℃
功率:294W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6.04nF@25V
连续漏极电流:83A
类型:1个N沟道
导通电阻:8.3mΩ@10V,75A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP083N15A-F102
工作温度:-55℃~+175℃
功率:294W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6.04nF@25V
连续漏极电流:83A
类型:1个N沟道
导通电阻:8.3mΩ@10V,75A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP083N15A-F102
工作温度:-55℃~+175℃
功率:294W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6.04nF@25V
连续漏极电流:83A
类型:1个N沟道
导通电阻:8.3mΩ@10V,75A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP083N15A-F102
工作温度:-55℃~+175℃
功率:294W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6.04nF@25V
连续漏极电流:83A
类型:1个N沟道
导通电阻:8.3mΩ@10V,75A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP083N15A-F102
工作温度:-55℃~+175℃
功率:294W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6.04nF@25V
连续漏极电流:83A
类型:1个N沟道
导通电阻:8.3mΩ@10V,75A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP083N15A-F102
工作温度:-55℃~+175℃
功率:294W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6.04nF@25V
连续漏极电流:83A
类型:1个N沟道
导通电阻:8.3mΩ@10V,75A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA36P15
工作温度:-55℃~+175℃
功率:294W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3.32nF@25V
连续漏极电流:36A
类型:1个P沟道
导通电阻:90mΩ@18A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA36P15
工作温度:-55℃~+175℃
功率:294W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3.32nF@25V
连续漏极电流:36A
类型:1个P沟道
导通电阻:90mΩ@18A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF190N15A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:33W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2.685nF@25V
连续漏极电流:27.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:19mΩ@27.4A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP083N15A-F102
工作温度:-55℃~+175℃
功率:294W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6.04nF@25V
连续漏极电流:83A
类型:1个N沟道
导通电阻:8.3mΩ@10V,75A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):FDPF190N15A
栅极电荷:39nC@10V
类型:1个N沟道
漏源电压:150V
阈值电压:4V@250μA
包装方式:管件
输入电容:2.685nF@25V
工作温度:-55℃~+150℃
连续漏极电流:27.4A
导通电阻:19mΩ@27.4A,10V
功率:33W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF190N15A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:33W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2.685nF@25V
连续漏极电流:27.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:19mΩ@27.4A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP083N15A-F102
工作温度:-55℃~+175℃
功率:294W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6.04nF@25V
连续漏极电流:83A
类型:1个N沟道
导通电阻:8.3mΩ@10V,75A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF190N15A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:33W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2.685nF@25V
连续漏极电流:27.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:19mΩ@27.4A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP083N15A-F102
工作温度:-55℃~+175℃
功率:294W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6.04nF@25V
连续漏极电流:83A
类型:1个N沟道
导通电阻:8.3mΩ@10V,75A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP083N15A-F102
工作温度:-55℃~+175℃
功率:294W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6.04nF@25V
连续漏极电流:83A
类型:1个N沟道
导通电阻:8.3mΩ@10V,75A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF190N15A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:33W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2.685nF@25V
连续漏极电流:27.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:19mΩ@27.4A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP083N15A-F102
工作温度:-55℃~+175℃
功率:294W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6.04nF@25V
连续漏极电流:83A
类型:1个N沟道
导通电阻:8.3mΩ@10V,75A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF190N15A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:33W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2.685nF@25V
连续漏极电流:27.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:19mΩ@27.4A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP083N15A-F102
工作温度:-55℃~+175℃
功率:294W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6.04nF@25V
连续漏极电流:83A
类型:1个N沟道
导通电阻:8.3mΩ@10V,75A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP083N15A-F102
工作温度:-55℃~+175℃
功率:294W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6.04nF@25V
连续漏极电流:83A
类型:1个N沟道
导通电阻:8.3mΩ@10V,75A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF190N15A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:33W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2.685nF@25V
连续漏极电流:27.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:19mΩ@27.4A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP2572
工作温度:-55℃~+175℃
功率:135W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.77nF@25V
连续漏极电流:4A€29A
类型:1个N沟道
导通电阻:54mΩ@10V,9A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):FDP2572
栅极电荷:34nC@10V
类型:1个N沟道
导通电阻:54mΩ@10V,9A
漏源电压:150V
阈值电压:4V@250μA
功率:135W
包装方式:管件
工作温度:-55℃~+175℃
输入电容:1.77nF@25V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:4A€29A
包装清单:商品主体 * 1
库存: