品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP038AN06A0
工作温度:-55℃~+175℃
功率:310W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:124nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6.4nF@25V
连续漏极电流:17A€80A
类型:1个N沟道
反向传输电容:367pF@25V
导通电阻:3.5mΩ@10V,80A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP038AN06A0
工作温度:-55℃~+175℃
功率:310W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:124nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6.4nF@25V
连续漏极电流:17A€80A
类型:1个N沟道
反向传输电容:367pF@25V
导通电阻:3.5mΩ@10V,80A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDH3632
工作温度:-55℃~+175℃
功率:310W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6nF@25V
连续漏极电流:12A€80A
类型:1个N沟道
导通电阻:9mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDH3632
工作温度:-55℃~+175℃
功率:310W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6nF@25V
连续漏极电流:12A€80A
类型:1个N沟道
导通电阻:9mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP038AN06A0
工作温度:-55℃~+175℃
功率:310W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:124nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6.4nF@25V
连续漏极电流:17A€80A
类型:1个N沟道
反向传输电容:367pF@25V
导通电阻:3.5mΩ@10V,80A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDH3632
工作温度:-55℃~+175℃
功率:310W
阈值电压:4V@250μA
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包装方式:管件
输入电容:6nF@25V
连续漏极电流:12A€80A
类型:1个N沟道
导通电阻:9mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDH3632
工作温度:-55℃~+175℃
功率:310W
阈值电压:4V@250μA
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包装方式:管件
输入电容:6nF@25V
连续漏极电流:12A€80A
类型:1个N沟道
导通电阻:9mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDH3632
工作温度:-55℃~+175℃
功率:310W
阈值电压:4V@250μA
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包装方式:管件
输入电容:6nF@25V
连续漏极电流:12A€80A
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导通电阻:9mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP038AN06A0
工作温度:-55℃~+175℃
功率:310W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:124nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6.4nF@25V
连续漏极电流:17A€80A
类型:1个N沟道
反向传输电容:367pF@25V
导通电阻:3.5mΩ@10V,80A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP038AN06A0
工作温度:-55℃~+175℃
功率:310W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:124nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6.4nF@25V
连续漏极电流:17A€80A
类型:1个N沟道
反向传输电容:367pF@25V
导通电阻:3.5mΩ@10V,80A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP038AN06A0
工作温度:-55℃~+175℃
功率:310W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:124nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6.4nF@25V
连续漏极电流:17A€80A
类型:1个N沟道
反向传输电容:367pF@25V
导通电阻:3.5mΩ@10V,80A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDH3632
工作温度:-55℃~+175℃
功率:310W
阈值电压:4V@250μA
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包装方式:管件
输入电容:6nF@25V
连续漏极电流:12A€80A
类型:1个N沟道
导通电阻:9mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP038AN06A0
工作温度:-55℃~+175℃
功率:310W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:124nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6.4nF@25V
连续漏极电流:17A€80A
类型:1个N沟道
反向传输电容:367pF@25V
导通电阻:3.5mΩ@10V,80A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP038AN06A0
工作温度:-55℃~+175℃
功率:310W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:124nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6.4nF@25V
连续漏极电流:17A€80A
类型:1个N沟道
反向传输电容:367pF@25V
导通电阻:3.5mΩ@10V,80A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDH3632
工作温度:-55℃~+175℃
功率:310W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6nF@25V
连续漏极电流:12A€80A
类型:1个N沟道
导通电阻:9mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP038AN06A0
工作温度:-55℃~+175℃
功率:310W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:124nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6.4nF@25V
连续漏极电流:17A€80A
类型:1个N沟道
反向传输电容:367pF@25V
导通电阻:3.5mΩ@10V,80A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDH3632
工作温度:-55℃~+175℃
功率:310W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6nF@25V
连续漏极电流:12A€80A
类型:1个N沟道
导通电阻:9mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDH3632
工作温度:-55℃~+175℃
功率:310W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6nF@25V
连续漏极电流:12A€80A
类型:1个N沟道
导通电阻:9mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP038AN06A0
工作温度:-55℃~+175℃
功率:310W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:124nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6.4nF@25V
连续漏极电流:17A€80A
类型:1个N沟道
反向传输电容:367pF@25V
导通电阻:3.5mΩ@10V,80A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDH3632
工作温度:-55℃~+175℃
功率:310W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6nF@25V
连续漏极电流:12A€80A
类型:1个N沟道
导通电阻:9mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDH3632
工作温度:-55℃~+175℃
功率:310W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6nF@25V
连续漏极电流:12A€80A
类型:1个N沟道
导通电阻:9mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP038AN06A0
工作温度:-55℃~+175℃
功率:310W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:124nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6.4nF@25V
连续漏极电流:17A€80A
类型:1个N沟道
反向传输电容:367pF@25V
导通电阻:3.5mΩ@10V,80A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDH3632
工作温度:-55℃~+175℃
功率:310W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6nF@25V
连续漏极电流:12A€80A
类型:1个N沟道
导通电阻:9mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP038AN06A0
工作温度:-55℃~+175℃
功率:310W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:124nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6.4nF@25V
连续漏极电流:17A€80A
类型:1个N沟道
反向传输电容:367pF@25V
导通电阻:3.5mΩ@10V,80A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDH3632
工作温度:-55℃~+175℃
功率:310W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6nF@25V
连续漏极电流:12A€80A
类型:1个N沟道
导通电阻:9mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):FDP038AN06A0
类型:1个N沟道
漏源电压:60V
反向传输电容:367pF@25V
导通电阻:3.5mΩ@10V,80A
阈值电压:4V@250μA
功率:310W
包装方式:管件
连续漏极电流:17A€80A
栅极电荷:124nC@10V
工作温度:-55℃~+175℃
输入电容:6.4nF@25V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
导通电阻:14mΩ@75A,10V
阈值电压:4V@250μA
输入电容:3.79nF@25V
功率:310W
类型:1个N沟道
工作温度:-55℃~+175℃
栅极电荷:238nC@20V
连续漏极电流:75A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDH3632
栅极电荷:110nC@10V
类型:1个N沟道
导通电阻:9mΩ@80A,10V
阈值电压:4V@250μA
功率:310W
包装方式:管件
连续漏极电流:12A€80A
工作温度:-55℃~+175℃
漏源电压:100V
输入电容:6nF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDH3632
工作温度:-55℃~+175℃
功率:310W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6nF@25V
连续漏极电流:12A€80A
类型:1个N沟道
导通电阻:9mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: