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    onsemi Mosfet场效应管 FDD120AN15A0 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD120AN15A0 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD120AN15A0

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:65W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:14.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:770pF@25V

    连续漏极电流:2.8A€14A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:120mΩ@10V,4A

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP038AN06A0 起订16个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP038AN06A0 起订16个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP038AN06A0

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:310W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:124nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:6.4nF@25V

    连续漏极电流:17A€80A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:367pF@25V

    导通电阻:3.5mΩ@10V,80A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP036N10A 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP036N10A 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP036N10A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:333W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:116nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:7.295nF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:3.6mΩ@75A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQB22P10TM 起订800个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQB22P10TM 起订800个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQB22P10TM

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:3.75W€125W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:50nC@10V

    输入电容:1.5nF@25V

    连续漏极电流:22A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:125mΩ@10V,11A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP045N10A-F102 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP045N10A-F102 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP045N10A-F102

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:263W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5.27nF@50V

    连续漏极电流:120A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@10V,100A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD120AN15A0 起订12500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD120AN15A0 起订12500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD120AN15A0

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:65W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:14.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:770pF@25V

    连续漏极电流:2.8A€14A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:120mΩ@10V,4A

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD120AN15A0 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD120AN15A0 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD120AN15A0

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:65W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:14.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:770pF@25V

    连续漏极电流:2.8A€14A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:120mΩ@10V,4A

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD120AN15A0 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD120AN15A0 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD120AN15A0

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:65W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:14.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:770pF@25V

    连续漏极电流:2.8A€14A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:120mΩ@10V,4A

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP050AN06A0 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP050AN06A0 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP050AN06A0

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:245W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3.9nF@25V

    连续漏极电流:18A€80A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C645NT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C645NT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5C645NT1G

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:3.7W€80W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:20.4nC@10V

    输入电容:1.51nF@25V

    连续漏极电流:20A€94A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.5mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP038AN06A0 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP038AN06A0 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP038AN06A0

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:310W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:124nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:6.4nF@25V

    连续漏极电流:17A€80A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:367pF@25V

    导通电阻:3.5mΩ@10V,80A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD120AN15A0 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD120AN15A0 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD120AN15A0

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:65W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:14.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:770pF@25V

    连续漏极电流:2.8A€14A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:120mΩ@10V,4A

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB050AN06A0 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB050AN06A0 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB050AN06A0

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:245W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3.9nF@25V

    连续漏极电流:18A€80A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5mΩ@10V,80A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQB22P10TM 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQB22P10TM 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQB22P10TM

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:3.75W€125W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:50nC@10V

    输入电容:1.5nF@25V

    连续漏极电流:22A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:125mΩ@10V,11A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDH3632 起订900个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDH3632 起订900个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDH3632

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:310W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:6nF@25V

    连续漏极电流:12A€80A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:9mΩ@80A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDH3632 起订510个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDH3632 起订510个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDH3632

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:310W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:6nF@25V

    连续漏极电流:12A€80A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:9mΩ@80A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 HUF75652G3 起订90个装
    onsemi Mosfet场效应管 HUF75652G3 起订90个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):HUF75652G3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:515W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:475nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:7.585nF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:8mΩ@75A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQB22P10TM 起订50个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQB22P10TM 起订50个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQB22P10TM

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:3.75W€125W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:50nC@10V

    输入电容:1.5nF@25V

    连续漏极电流:22A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:125mΩ@10V,11A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQB22P10TM 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQB22P10TM 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQB22P10TM

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:3.75W€125W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:50nC@10V

    输入电容:1.5nF@25V

    连续漏极电流:22A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:125mΩ@10V,11A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQB22P10TM 起订800个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQB22P10TM 起订800个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQB22P10TM

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:3.75W€125W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:50nC@10V

    输入电容:1.5nF@25V

    连续漏极电流:22A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:125mΩ@10V,11A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 HUF75652G3 起订150个装
    onsemi Mosfet场效应管 HUF75652G3 起订150个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):HUF75652G3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:515W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:475nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:7.585nF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:8mΩ@75A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C645NT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C645NT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5C645NT1G

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:3.7W€80W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:20.4nC@10V

    输入电容:1.51nF@25V

    连续漏极电流:20A€94A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.5mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C645NT1G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C645NT1G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5C645NT1G

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:3.7W€80W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:20.4nC@10V

    输入电容:1.51nF@25V

    连续漏极电流:20A€94A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.5mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP045N10A-F102 起订50个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP045N10A-F102 起订50个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP045N10A-F102

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:263W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5.27nF@50V

    连续漏极电流:120A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@10V,100A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB050AN06A0 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB050AN06A0 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB050AN06A0

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:245W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3.9nF@25V

    连续漏极电流:18A€80A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5mΩ@10V,80A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP045N10A-F102 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP045N10A-F102 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP045N10A-F102

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:263W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5.27nF@50V

    连续漏极电流:120A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@10V,100A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQB22P10TM 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQB22P10TM 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQB22P10TM

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:3.75W€125W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:50nC@10V

    输入电容:1.5nF@25V

    连续漏极电流:22A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:125mΩ@10V,11A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD120AN15A0 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD120AN15A0 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD120AN15A0

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:65W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:14.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:770pF@25V

    连续漏极电流:2.8A€14A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:120mΩ@10V,4A

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP038AN06A0 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP038AN06A0 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP038AN06A0

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:310W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:124nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:6.4nF@25V

    连续漏极电流:17A€80A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:367pF@25V

    导通电阻:3.5mΩ@10V,80A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB050AN06A0 起订1600个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB050AN06A0 起订1600个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB050AN06A0

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:245W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3.9nF@25V

    连续漏极电流:18A€80A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5mΩ@10V,80A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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