采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD120AN15A0
工作温度：-55℃~+175℃
功率：65W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@25V
连续漏极电流：2.8A€14A
类型：1个N沟道
导通电阻：120mΩ@10V，4A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDD120AN15A0
工作温度：-55℃~+175℃
功率：65W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@25V
连续漏极电流：2.8A€14A
类型：1个N沟道
导通电阻：120mΩ@10V，4A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
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功率：65W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@25V
连续漏极电流：2.8A€14A
类型：1个N沟道
导通电阻：120mΩ@10V，4A
漏源电压：150V
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功率：65W
阈值电压：4V@250μA
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连续漏极电流：2.8A€14A
类型：1个N沟道
导通电阻：120mΩ@10V，4A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDD120AN15A0
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功率：65W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@25V
连续漏极电流：2.8A€14A
类型：1个N沟道
导通电阻：120mΩ@10V，4A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDD120AN15A0
工作温度：-55℃~+175℃
功率：65W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@25V
连续漏极电流：2.8A€14A
类型：1个N沟道
导通电阻：120mΩ@10V，4A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP083N15A-F102
工作温度：-55℃~+175℃
功率：294W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6.04nF@25V
连续漏极电流：83A
类型：1个N沟道
导通电阻：8.3mΩ@10V，75A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDD120AN15A0
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功率：65W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@25V
连续漏极电流：2.8A€14A
类型：1个N沟道
导通电阻：120mΩ@10V，4A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDP083N15A-F102
工作温度：-55℃~+175℃
功率：294W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6.04nF@25V
连续漏极电流：83A
类型：1个N沟道
导通电阻：8.3mΩ@10V，75A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD120AN15A0
工作温度：-55℃~+175℃
功率：65W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@25V
连续漏极电流：2.8A€14A
类型：1个N沟道
导通电阻：120mΩ@10V，4A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDP083N15A-F102
工作温度：-55℃~+175℃
功率：294W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6.04nF@25V
连续漏极电流：83A
类型：1个N沟道
导通电阻：8.3mΩ@10V，75A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDP083N15A-F102
工作温度：-55℃~+175℃
功率：294W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6.04nF@25V
连续漏极电流：83A
类型：1个N沟道
导通电阻：8.3mΩ@10V，75A
漏源电压：150V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD120AN15A0
工作温度：-55℃~+175℃
功率：65W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@25V
连续漏极电流：2.8A€14A
类型：1个N沟道
导通电阻：120mΩ@10V，4A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP083N15A-F102
工作温度：-55℃~+175℃
功率：294W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6.04nF@25V
连续漏极电流：83A
类型：1个N沟道
导通电阻：8.3mΩ@10V，75A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDD120AN15A0
工作温度：-55℃~+175℃
功率：65W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@25V
连续漏极电流：2.8A€14A
类型：1个N沟道
导通电阻：120mΩ@10V，4A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD120AN15A0
工作温度：-55℃~+175℃
功率：65W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@25V
连续漏极电流：2.8A€14A
类型：1个N沟道
导通电阻：120mΩ@10V，4A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP083N15A-F102
工作温度：-55℃~+175℃
功率：294W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6.04nF@25V
连续漏极电流：83A
类型：1个N沟道
导通电阻：8.3mΩ@10V，75A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD120AN15A0
工作温度：-55℃~+175℃
功率：65W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@25V
连续漏极电流：2.8A€14A
类型：1个N沟道
导通电阻：120mΩ@10V，4A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD120AN15A0
工作温度：-55℃~+175℃
功率：65W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@25V
连续漏极电流：2.8A€14A
类型：1个N沟道
导通电阻：120mΩ@10V，4A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP083N15A-F102
工作温度：-55℃~+175℃
功率：294W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6.04nF@25V
连续漏极电流：83A
类型：1个N沟道
导通电阻：8.3mΩ@10V，75A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP083N15A-F102
工作温度：-55℃~+175℃
功率：294W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6.04nF@25V
连续漏极电流：83A
类型：1个N沟道
导通电阻：8.3mΩ@10V，75A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP083N15A-F102
工作温度：-55℃~+175℃
功率：294W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6.04nF@25V
连续漏极电流：83A
类型：1个N沟道
导通电阻：8.3mΩ@10V，75A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD120AN15A0
工作温度：-55℃~+175℃
功率：65W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@25V
连续漏极电流：2.8A€14A
类型：1个N沟道
导通电阻：120mΩ@10V，4A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQA36P15
工作温度：-55℃~+175℃
功率：294W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3.32nF@25V
连续漏极电流：36A
类型：1个P沟道
导通电阻：90mΩ@18A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQA36P15
工作温度：-55℃~+175℃
功率：294W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3.32nF@25V
连续漏极电流：36A
类型：1个P沟道
导通电阻：90mΩ@18A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD120AN15A0
工作温度：-55℃~+175℃
功率：65W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@25V
连续漏极电流：2.8A€14A
类型：1个N沟道
导通电阻：120mΩ@10V，4A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：16+
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD120AN15A0
工作温度：-55℃~+175℃
功率：65W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@25V
连续漏极电流：2.8A€14A
类型：1个N沟道
导通电阻：120mΩ@10V，4A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD120AN15A0
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
漏源电压：150V
输入电容：770pF@25V
连续漏极电流：2.8A€14A
栅极电荷：14.5nC@10V
阈值电压：4V@250μA
功率：65W
导通电阻：120mΩ@10V，4A
工作温度：-55℃~+175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD120AN15A0
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
漏源电压：150V
输入电容：770pF@25V
连续漏极电流：2.8A€14A
栅极电荷：14.5nC@10V
阈值电压：4V@250μA
功率：65W
导通电阻：120mΩ@10V，4A
工作温度：-55℃~+175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD120AN15A0
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
漏源电压：150V
输入电容：770pF@25V
连续漏极电流：2.8A€14A
栅极电荷：14.5nC@10V
阈值电压：4V@250μA
功率：65W
导通电阻：120mΩ@10V，4A
工作温度：-55℃~+175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
