采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EFC4C002NLTDG
工作温度：150℃
功率：2.6W
阈值电压：2.2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6200pF@15V
类型：2N沟道（双）共漏
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4982NFT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@15V
连续漏极电流：26.5A€207A
类型：N沟道
导通电阻：1.3mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4982NFT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@15V
连续漏极电流：26.5A€207A
类型：N沟道
导通电阻：1.3mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EFC4C002NLTDG
工作温度：150℃
功率：2.6W
阈值电压：2.2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6200pF@15V
类型：2N沟道（双）共漏
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EFC4C012NLTDG
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
类型：2N沟道（双）共漏
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4982NFT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@15V
连续漏极电流：26.5A€207A
类型：N沟道
导通电阻：1.3mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：10000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：EFC4C012NLTDG
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
类型：2N沟道（双）共漏
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：107}
销售单位：个
规格型号(MPN)：EFC4C002NLTDG
工作温度：150℃
功率：2.6W
阈值电压：2.2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6200pF@15V
类型：2N沟道（双）共漏
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：10000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：EFC4C012NLTDG
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
类型：2N沟道（双）共漏
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：10000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：EFC4C012NLTDG
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
类型：2N沟道（双）共漏
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：10000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：EFC4C012NLTDG
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
类型：2N沟道（双）共漏
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4982NFT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.2V@1mA
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@15V
连续漏极电流：26.5A€207A
类型：N沟道
导通电阻：1.3mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EFC4C012NLTDG
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
类型：2N沟道（双）共漏
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4982NFT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.2V@1mA
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@15V
连续漏极电流：26.5A€207A
类型：N沟道
导通电阻：1.3mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EFC4C012NLTDG
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
类型：2N沟道（双）共漏
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EFC4C012NLTDG
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
类型：2N沟道（双）共漏
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EFC4C012NLTDG
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
类型：2N沟道（双）共漏
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4982NFT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@15V
连续漏极电流：26.5A€207A
类型：N沟道
导通电阻：1.3mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EFC4C002NLTDG
工作温度：150℃
功率：2.6W
阈值电压：2.2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6200pF@15V
类型：2N沟道（双）共漏
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EFC4C002NLTDG
工作温度：150℃
功率：2.6W
阈值电压：2.2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6200pF@15V
类型：2N沟道（双）共漏
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EFC4C002NLTDG
工作温度：150℃
功率：2.6W
阈值电压：2.2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6200pF@15V
类型：2N沟道（双）共漏
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EFC4C002NLTDG
阈值电压：2.2V@1mA
输入电容：6.2nF@15V
功率：2.6W
栅极电荷：45nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
类型：2个N沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EFC4C002NLTDG
阈值电压：2.2V@1mA
功率：2.6W
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
类型：2N沟道（双）共漏
输入电容：6200pF@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EFC4C002NLTDG
阈值电压：2.2V@1mA
功率：2.6W
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
类型：2N沟道（双）共漏
输入电容：6200pF@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8558S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€78W
阈值电压：2.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5118pF@13V
连续漏极电流：33A€90A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@33A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8558S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€78W
阈值电压：2.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5118pF@13V
连续漏极电流：33A€90A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@33A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8558S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€78W
阈值电压：2.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5118pF@13V
连续漏极电流：33A€90A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@33A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
