采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：272mW
阈值电压：1.2V@250μA
栅极电荷：2.2nC@4.5V
输入电容：155pF@20V
连续漏极电流：880mA
类型：2个P沟道
导通电阻：260mΩ@4.5V，880mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：272mW
阈值电压：1.2V@250μA
栅极电荷：2.2nC@4.5V
输入电容：155pF@20V
连续漏极电流：880mA
类型：2个P沟道
导通电阻：260mΩ@4.5V，880mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVJD4152PT1G
功率：272mW
阈值电压：1.2V@250μA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：880mA
类型：2个P沟道
导通电阻：260mΩ@4.5V，880mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVJD4152PT1G
功率：272mW
阈值电压：1.2V@250μA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：880mA
类型：2个P沟道
导通电阻：260mΩ@4.5V，880mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVJD4152PT1G
功率：272mW
阈值电压：1.2V@250μA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：880mA
类型：2个P沟道
导通电阻：260mΩ@4.5V，880mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.2V@250μA
栅极电荷：10nC@4.5V
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：67mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.2V@250μA
栅极电荷：10nC@4.5V
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：67mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.2V@250μA
栅极电荷：10nC@4.5V
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：67mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.2V@250μA
栅极电荷：10nC@4.5V
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：67mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTK3134NT1G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：310mW
阈值电压：1.2V@250μA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：120pF@16V
连续漏极电流：890mA
类型：1个N沟道
导通电阻：350mΩ@4.5V，890mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：310mW
阈值电压：1.2V@250μA
输入电容：120pF@16V
连续漏极电流：890mA
类型：1个N沟道
导通电阻：350mΩ@4.5V，890mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.2V@250μA
栅极电荷：10nC@4.5V
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：67mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：301mW
阈值电压：1.2V@250μA
栅极电荷：2.1nC@4.5V
输入电容：156pF@5V
连续漏极电流：760mA
类型：1个P沟道
导通电阻：360mΩ@4.5V，350mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：301mW
阈值电压：1.2V@250μA
栅极电荷：2.1nC@4.5V
输入电容：156pF@5V
连续漏极电流：760mA
类型：1个P沟道
导通电阻：360mΩ@4.5V，350mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.2V@250μA
栅极电荷：10nC@4.5V
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：67mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.2V@250μA
栅极电荷：10nC@4.5V
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：67mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：301mW
阈值电压：1.2V@250μA
栅极电荷：2.1nC@4.5V
输入电容：156pF@5V
连续漏极电流：760mA
类型：1个P沟道
导通电阻：360mΩ@4.5V，350mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250μA
栅极电荷：6nC@4.5V
输入电容：200pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：80mΩ@4.5V，3.6A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：310mW
阈值电压：1.2V@250μA
输入电容：170pF@16V
连续漏极电流：660mA
类型：1个P沟道
导通电阻：480mΩ@4.5V，780mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1.2V@250μA
栅极电荷：2.4nC@10V
输入电容：58pF@25V
连续漏极电流：220mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.6Ω@5V，50mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：301mW
阈值电压：1.2V@250μA
栅极电荷：2.1nC@4.5V
输入电容：156pF@5V
连续漏极电流：760mA
类型：1个P沟道
导通电阻：360mΩ@4.5V，350mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.2V@250μA
栅极电荷：10nC@4.5V
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：67mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTJS4151PT1G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W
阈值电压：1.2V@250μA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：3.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：60mΩ@3.3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVJD4152PT1G
功率：272mW
阈值电压：1.2V@250μA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：880mA
类型：2个P沟道
导通电阻：260mΩ@4.5V，880mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVJD4152PT1G
功率：272mW
阈值电压：1.2V@250μA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：880mA
类型：2个P沟道
导通电阻：260mΩ@4.5V，880mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
连续漏极电流：3.2A
漏源电压：20V
阈值电压：1.2V@250μA
栅极电荷：10nC@4.5V
功率：1.2W
导通电阻：67mΩ@2.9A，4.5V
类型：1个P沟道
输入电容：850pF@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
栅极电荷：2.1nC@4.5V
连续漏极电流：760mA
功率：301mW
工作温度：-55℃~+150℃
漏源电压：20V
输入电容：156pF@5V
阈值电压：1.2V@250μA
类型：1个P沟道
导通电阻：360mΩ@4.5V，350mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
