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    漏源电压
    连续漏极电流
    品牌: ON SEMI
    阈值电压: 1.5V@100μA
    当前匹配商品:9
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
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    操作
    onsemi Mosfet场效应管 NTS4001NT1G 起订数714000个
    onsemi Mosfet场效应管 NTS4001NT1G 起订数714000个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:330mW

    阈值电压:1.5V@100μA

    栅极电荷:1.3nC@5V

    输入电容:33pF@5V

    连续漏极电流:270mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.5Ω@4V,10mA

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTJD4001NT1G 起订数102000个
    onsemi Mosfet场效应管 NTJD4001NT1G 起订数102000个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:272mW

    阈值电压:1.5V@100μA

    栅极电荷:1.3nC@5V

    输入电容:33pF@5V

    连续漏极电流:250mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:1.5Ω@4V,10mA

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTS4001NT1G 起订数1500个
    onsemi Mosfet场效应管 NTS4001NT1G 起订数1500个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:330mW

    阈值电压:1.5V@100μA

    栅极电荷:1.3nC@5V

    输入电容:33pF@5V

    连续漏极电流:270mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.5Ω@4V,10mA

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTA7002NT1G 起订数1000个
    onsemi Mosfet场效应管 NTA7002NT1G 起订数1000个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@100μA

    输入电容:20pF@5V

    连续漏极电流:154mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:7Ω@4.5V,154mA

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTS4001NT1G 起订数3000个
    onsemi Mosfet场效应管 NTS4001NT1G 起订数3000个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:330mW

    阈值电压:1.5V@100μA

    栅极电荷:1.3nC@5V

    输入电容:33pF@5V

    连续漏极电流:270mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.5Ω@4V,10mA

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTS4001NT1G 起订数200个
    onsemi Mosfet场效应管 NTS4001NT1G 起订数200个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:330mW

    阈值电压:1.5V@100μA

    栅极电荷:1.3nC@5V

    输入电容:33pF@5V

    连续漏极电流:270mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.5Ω@4V,10mA

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTA4001NT1G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTA4001NT1G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTA4001NT1G

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@100μA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20pF@5V

    连续漏极电流:238mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:3Ω@4.5V,10mA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTA4001NT1G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTA4001NT1G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTA4001NT1G

    包装方式:卷带(TR)

    阈值电压:1.5V@100μA

    类型:1个N沟道

    输入电容:20pF@5V

    功率:300mW

    工作温度:-55℃~+150℃

    漏源电压:20V

    导通电阻:3Ω@4.5V,10mA

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:238mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTS4001NT1G 起订数3000个
    onsemi Mosfet场效应管 NTS4001NT1G 起订数3000个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    连续漏极电流:270mA

    漏源电压:30V

    阈值电压:1.5V@100μA

    输入电容:33pF@5V

    工作温度:-55℃~+150℃

    栅极电荷:1.3nC@5V

    功率:330mW

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.5Ω@4V,10mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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