品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:330mW
阈值电压:1.5V@100μA
栅极电荷:1.3nC@5V
输入电容:33pF@5V
连续漏极电流:270mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.5Ω@4V,10mA
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:272mW
阈值电压:1.5V@100μA
栅极电荷:1.3nC@5V
输入电容:33pF@5V
连续漏极电流:250mA
类型:2个N沟道
导通电阻:1.5Ω@4V,10mA
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:330mW
阈值电压:1.5V@100μA
栅极电荷:1.3nC@5V
输入电容:33pF@5V
连续漏极电流:270mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.5Ω@4V,10mA
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:1.5V@100μA
输入电容:20pF@5V
连续漏极电流:154mA
类型:1个N沟道
导通电阻:7Ω@4.5V,154mA
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:330mW
阈值电压:1.5V@100μA
栅极电荷:1.3nC@5V
输入电容:33pF@5V
连续漏极电流:270mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.5Ω@4V,10mA
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:330mW
阈值电压:1.5V@100μA
栅极电荷:1.3nC@5V
输入电容:33pF@5V
连续漏极电流:270mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.5Ω@4V,10mA
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTA4001NT1G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:1.5V@100μA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20pF@5V
连续漏极电流:238mA
类型:1个N沟道
导通电阻:3Ω@4.5V,10mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTA4001NT1G
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:1.5V@100μA
类型:1个N沟道
输入电容:20pF@5V
功率:300mW
工作温度:-55℃~+150℃
漏源电压:20V
导通电阻:3Ω@4.5V,10mA
ECCN:EAR99
连续漏极电流:238mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
连续漏极电流:270mA
漏源电压:30V
阈值电压:1.5V@100μA
输入电容:33pF@5V
工作温度:-55℃~+150℃
栅极电荷:1.3nC@5V
功率:330mW
类型:1个N沟道
导通电阻:1.5Ω@4V,10mA
包装清单:商品主体 * 1
库存: