首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    品牌
    阈值电压
    类型
    栅极电荷
    功率
    行业应用
    漏源电压
    连续漏极电流
    品牌: ON SEMI
    阈值电压: 3V@250μA
    类型: 1个N沟道
    栅极电荷: 15nC@10V
    当前匹配商品:60+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    onsemi Mosfet场效应管 FDC655BN 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC655BN 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC655BN

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:15nC@10V

    输入电容:570pF@15V

    连续漏极电流:6.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:25mΩ@10V,6.3A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC655BN 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC655BN 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC655BN

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:15nC@10V

    输入电容:570pF@15V

    连续漏极电流:6.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:25mΩ@10V,6.3A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC655BN 起订9个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC655BN 起订9个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC655BN

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:15nC@10V

    输入电容:570pF@15V

    连续漏极电流:6.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:25mΩ@10V,6.3A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC655BN 起订12个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC655BN 起订12个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC655BN

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:15nC@10V

    输入电容:570pF@15V

    连续漏极电流:6.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:25mΩ@10V,6.3A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 RFD12N06RLESM9A 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD12N06RLESM9A 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD12N06RLESM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:49W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:485pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:63mΩ@10V,18A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86252L 起订数5000个
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86252L 起订数5000个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:50W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:15nC@10V

    输入电容:1.335nF@75V

    连续漏极电流:12A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:3pF@75V

    导通电阻:46mΩ@10V,4.4A

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC655BN 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC655BN 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC655BN

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:15nC@10V

    输入电容:570pF@15V

    连续漏极电流:6.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:25mΩ@10V,6.3A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 RFD12N06RLESM9A 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD12N06RLESM9A 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD12N06RLESM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:49W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:485pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:63mΩ@10V,18A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC655BN 起订11个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC655BN 起订11个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC655BN

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:15nC@10V

    输入电容:570pF@15V

    连续漏极电流:6.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:25mΩ@10V,6.3A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC655BN 起订6000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC655BN 起订6000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC655BN

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:15nC@10V

    输入电容:570pF@15V

    连续漏极电流:6.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:25mΩ@10V,6.3A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 RFD12N06RLESM9A 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD12N06RLESM9A 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD12N06RLESM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:49W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:485pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:63mΩ@10V,18A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 RFD12N06RLESM9A 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD12N06RLESM9A 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD12N06RLESM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:49W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:485pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:63mΩ@10V,18A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 RFD12N06RLESM9A 起订25个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD12N06RLESM9A 起订25个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD12N06RLESM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:49W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:485pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:63mΩ@10V,18A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 RFD12N06RLESM9A 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD12N06RLESM9A 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD12N06RLESM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:49W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:485pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:63mΩ@10V,18A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 RFD12N06RLESM9A 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD12N06RLESM9A 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD12N06RLESM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:49W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:485pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:63mΩ@10V,18A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 RFD12N06RLESM9A 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD12N06RLESM9A 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD12N06RLESM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:49W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:485pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:63mΩ@10V,18A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 RFD12N06RLESM9A 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD12N06RLESM9A 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD12N06RLESM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:49W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:485pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:63mΩ@10V,18A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 RFD12N06RLESM9A 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD12N06RLESM9A 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD12N06RLESM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:49W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:485pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:63mΩ@10V,18A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC655BN 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC655BN 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC655BN

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:15nC@10V

    输入电容:570pF@15V

    连续漏极电流:6.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:25mΩ@10V,6.3A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC655BN 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC655BN 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC655BN

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:15nC@10V

    输入电容:570pF@15V

    连续漏极电流:6.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:25mΩ@10V,6.3A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC655BN 起订30个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC655BN 起订30个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC655BN

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:15nC@10V

    输入电容:570pF@15V

    连续漏极电流:6.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:25mΩ@10V,6.3A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC655BN 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC655BN 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC655BN

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:15nC@10V

    输入电容:570pF@15V

    连续漏极电流:6.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:25mΩ@10V,6.3A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC655BN 起订600个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC655BN 起订600个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC655BN

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:15nC@10V

    输入电容:570pF@15V

    连续漏极电流:6.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:25mΩ@10V,6.3A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 RFD12N06RLESM9A 起订50个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD12N06RLESM9A 起订50个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD12N06RLESM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:49W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:485pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:63mΩ@10V,18A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 RFD12N06RLESM9A 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD12N06RLESM9A 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD12N06RLESM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:49W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:485pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:63mΩ@10V,18A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 RFD12N06RLESM9A 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD12N06RLESM9A 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD12N06RLESM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:49W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:485pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:63mΩ@10V,18A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC655BN 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC655BN 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC655BN

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:15nC@10V

    输入电容:570pF@15V

    连续漏极电流:6.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:25mΩ@10V,6.3A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC655BN 起订9000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC655BN 起订9000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC655BN

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:15nC@10V

    输入电容:570pF@15V

    连续漏极电流:6.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:25mΩ@10V,6.3A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC655BN 起订1500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC655BN 起订1500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC655BN

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:15nC@10V

    输入电容:570pF@15V

    连续漏极电流:6.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:25mΩ@10V,6.3A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC655BN 起订750个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC655BN 起订750个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC655BN

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:15nC@10V

    输入电容:570pF@15V

    连续漏极电流:6.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:25mΩ@10V,6.3A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    正在加载中,请稍后~~
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧