采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4435DY
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：24nC@5V
输入电容：1.604nF@15V
连续漏极电流：8.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：20mΩ@8.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4435DY
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：24nC@5V
输入电容：1.604nF@15V
连续漏极电流：8.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：20mΩ@8.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4435DY
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：24nC@5V
输入电容：1.604nF@15V
连续漏极电流：8.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：20mΩ@8.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4435DY
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：24nC@5V
输入电容：1.604nF@15V
连续漏极电流：8.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：20mΩ@8.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC654P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：298pF@15V
连续漏极电流：3.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：75mΩ@3.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：9nC@10V
输入电容：298pF@15V
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
导通电阻：80mΩ@10V，2A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC654P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：298pF@15V
连续漏极电流：3.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：75mΩ@3.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：400mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：10nC@10V
输入电容：200pF@15V
连续漏极电流：1.13A
类型：1个P沟道
导通电阻：200mΩ@10V，1.95A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4435DY
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：24nC@5V
输入电容：1.604nF@15V
连续漏极电流：8.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：20mΩ@8.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：260nC@10V
输入电容：7.54nF@15V
连续漏极电流：20A
类型：1个P沟道
导通电阻：4.6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4435DY
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：24nC@5V
输入电容：1.604nF@15V
连续漏极电流：8.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：20mΩ@8.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：9nC@10V
输入电容：298pF@15V
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
导通电阻：80mΩ@10V，2A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：400mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：10nC@10V
输入电容：200pF@15V
连续漏极电流：1.13A
类型：1个P沟道
导通电阻：200mΩ@10V，1.95A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4435DY
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：24nC@5V
输入电容：1.604nF@15V
连续漏极电流：8.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：20mΩ@8.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC654P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：298pF@15V
连续漏极电流：3.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：75mΩ@3.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6673BZ-G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@5V
输入电容：4.7nF@15V
连续漏极电流：14.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：7.8mΩ@14.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC654P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：298pF@15V
连续漏极电流：3.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：75mΩ@3.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：18000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC654P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：298pF@15V
连续漏极电流：3.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：75mΩ@3.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4435DY
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：24nC@5V
输入电容：1.604nF@15V
连续漏极电流：8.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：20mΩ@8.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC654P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：298pF@15V
连续漏极电流：3.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：75mΩ@3.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：9nC@10V
输入电容：298pF@15V
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
导通电阻：80mΩ@10V，2A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC654P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：298pF@15V
连续漏极电流：3.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：75mΩ@3.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC654P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：298pF@15V
连续漏极电流：3.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：75mΩ@3.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：18000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC654P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：298pF@15V
连续漏极电流：3.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：75mΩ@3.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：260nC@10V
输入电容：7.54nF@15V
连续漏极电流：20A
类型：1个P沟道
导通电阻：4.6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC654P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：298pF@15V
连续漏极电流：3.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：75mΩ@3.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：400mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：10nC@10V
输入电容：200pF@15V
连续漏极电流：1.13A
类型：1个P沟道
导通电阻：200mΩ@10V，1.95A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：9nC@10V
输入电容：298pF@15V
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
导通电阻：80mΩ@10V，2A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC654P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：298pF@15V
连续漏极电流：3.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：75mΩ@3.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC654P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：298pF@15V
连续漏极电流：3.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：75mΩ@3.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
