采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL082N65S3F
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：5V@4mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3410pF@400V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：82mΩ@20A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB082N65S3F
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：5V@4mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3410pF@400V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：82mΩ@20A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB082N65S3F
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：5V@4mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3410pF@400V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：82mΩ@20A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP082N65S3F
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：5V@4mA
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3410pF@400V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：82mΩ@20A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL082N65S3F
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：5V@4mA
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3410pF@400V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：82mΩ@20A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP082N65S3F
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：5V@4mA
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3410pF@400V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：82mΩ@20A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP082N65S3F
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：5V@4mA
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3410pF@400V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：82mΩ@20A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL082N65S3F
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：5V@4mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3410pF@400V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：82mΩ@20A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVB082N65S3F
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：5V@4mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3410pF@400V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：82mΩ@20A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVB082N65S3F
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：5V@4mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3410pF@400V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：82mΩ@20A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVB082N65S3F
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：5V@4mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3410pF@400V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：82mΩ@20A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVB082N65S3F
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：5V@4mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3410pF@400V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：82mΩ@20A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVB082N65S3F
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：5V@4mA
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3410pF@400V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：82mΩ@20A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：1350}
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVHL082N65S3F
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：5V@4mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3410pF@400V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：82mΩ@20A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP082N65S3HF
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：5V@4mA
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3410pF@400V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：82mΩ@20A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVHL082N65S3F
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：5V@4mA
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3410pF@400V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：82mΩ@20A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP082N65S3HF
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：5V@4mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3410pF@400V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：82mΩ@20A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP082N65S3HF
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：5V@4mA
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3410pF@400V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：82mΩ@20A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB082N65S3F
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：5V@4mA
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3410pF@400V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：82mΩ@20A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL082N65S3F
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：5V@4mA
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3410pF@400V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：82mΩ@20A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：1350}
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVHL082N65S3F
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：5V@4mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3410pF@400V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：82mΩ@20A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB082N65S3F
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：5V@4mA
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3410pF@400V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：82mΩ@20A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB082N65S3F
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：5V@4mA
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3410pF@400V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：82mΩ@20A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP082N65S3F
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：5V@4mA
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3410pF@400V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：82mΩ@20A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTPF082N65S3F
工作温度：-55℃~150℃
功率：48W
阈值电压：5V@4mA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3240pF@400V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：82mΩ@20A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL082N65S3F
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：5V@4mA
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3410pF@400V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：82mΩ@20A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTPF082N65S3F
工作温度：-55℃~150℃
功率：48W
阈值电压：5V@4mA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3240pF@400V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：82mΩ@20A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTPF082N65S3F
工作温度：-55℃~150℃
功率：48W
阈值电压：5V@4mA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3240pF@400V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：82mΩ@20A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB082N65S3F
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：5V@4mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3410pF@400V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：82mΩ@20A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP082N65S3F
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：5V@4mA
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3410pF@400V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：82mΩ@20A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
