品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":24000,"MI+":15000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8010ET30
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.8W€65W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:94nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5860pF@15V
连续漏极电流:30A€174A
类型:N沟道
导通电阻:1.3mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7660S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€41W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4325pF@15V
连续漏极电流:20A€40A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":4825,"MI+":846}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4898NFT3G
工作温度:-55℃~150℃
功率:930mW€73.5W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3233pF@12V
连续漏极电流:13.2A€117A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7660S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€41W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4325pF@15V
连续漏极电流:20A€40A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":5400}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4825NFET1G
工作温度:-40℃~150℃
功率:950mW€96.2W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5660pF@15V
连续漏极电流:17A€171A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@22A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":5625,"22+":2889,"23+":3177}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7660S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€41W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4325pF@15V
连续漏极电流:20A€40A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":18808,"23+":9885,"24+":15000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8010
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€54W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:94nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5860pF@15V
连续漏极电流:30A€75A
类型:N沟道
导通电阻:1.3mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":5625,"22+":2889,"23+":3177}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7660S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€41W
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ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4325pF@15V
连续漏极电流:20A€40A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:2.4W
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连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.3mΩ@10V,30A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":24000,"MI+":15000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8010ET30
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.8W€65W
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ECCN:EAR99
栅极电荷:94nC@10V
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类型:N沟道
导通电阻:1.3mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7660S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€41W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4325pF@15V
连续漏极电流:20A€40A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":4825,"MI+":846}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4898NFT3G
工作温度:-55℃~150℃
功率:930mW€73.5W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49.5nC@10V
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输入电容:3233pF@12V
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类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":13315,"12+":10500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4898NFT1G
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49.5nC@10V
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输入电容:3233pF@12V
连续漏极电流:13.2A€117A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8010
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€54W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:94nC@10V
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连续漏极电流:30A€75A
类型:N沟道
导通电阻:1.3mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8010
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€54W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:94nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5860pF@15V
连续漏极电流:30A€75A
类型:N沟道
导通电阻:1.3mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8010
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€54W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:94nC@10V
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输入电容:5860pF@15V
连续漏极电流:30A€75A
类型:N沟道
导通电阻:1.3mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8010
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€54W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:94nC@10V
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连续漏极电流:30A€75A
类型:N沟道
导通电阻:1.3mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8010
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€54W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:94nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5860pF@15V
连续漏极电流:30A€75A
类型:N沟道
导通电阻:1.3mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7660S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€41W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4325pF@15V
连续漏极电流:20A€40A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8010ET30
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.8W€65W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:94nC@10V
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输入电容:5860pF@15V
连续漏极电流:30A€174A
类型:N沟道
导通电阻:1.3mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7660S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€41W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4325pF@15V
连续漏极电流:20A€40A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8010
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€54W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:94nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5860pF@15V
连续漏极电流:30A€75A
类型:N沟道
导通电阻:1.3mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8010
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€54W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:94nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5860pF@15V
连续漏极电流:30A€75A
类型:N沟道
导通电阻:1.3mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7660S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€41W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4325pF@15V
连续漏极电流:20A€40A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7660S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€41W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4325pF@15V
连续漏极电流:20A€40A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":13315,"12+":10500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4898NFT1G
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3233pF@12V
连续漏极电流:13.2A€117A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":5400}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4825NFET1G
工作温度:-40℃~150℃
功率:950mW€96.2W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5660pF@15V
连续漏极电流:17A€171A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@22A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":5400}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4825NFET1G
工作温度:-40℃~150℃
功率:950mW€96.2W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5660pF@15V
连续漏极电流:17A€171A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@22A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":5625,"22+":2889,"23+":3177}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7660S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€41W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4325pF@15V
连续漏极电流:20A€40A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":5400}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4825NFET1G
工作温度:-40℃~150℃
功率:950mW€96.2W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5660pF@15V
连续漏极电流:17A€171A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@22A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: