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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BVSS123LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：2.8V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@100mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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ECCN：EAR99
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类型：N沟道
导通电阻：6Ω@100mA，10V
漏源电压：100V
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工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：2.8V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@100mA，10V
漏源电压：100V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BVSS123LT1G
连续漏极电流：170mA
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
导通电阻：6Ω@100mA，10V
输入电容：20pF@25V
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