采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：400mW
阈值电压：1V@250μA
连续漏极电流：1.3A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：175mΩ@1.2A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：960mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：15nC@4.5V
输入电容：1.173nF@4V
连续漏极电流：3.7A
类型：1个P沟道
导通电阻：52mΩ@4.5V，3.5A
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：960mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：15nC@4.5V
输入电容：1.173nF@4V
连续漏极电流：3.7A
类型：1个P沟道
导通电阻：52mΩ@4.5V，3.5A
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
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分类：Mosfet场效应管
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工作温度：-55℃~+150℃
功率：400mW
阈值电压：1V@250μA
连续漏极电流：1.3A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：175mΩ@1.2A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
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工作温度：-55℃~+150℃
功率：960mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：15nC@4.5V
输入电容：1.173nF@4V
连续漏极电流：3.7A
类型：1个P沟道
导通电阻：52mΩ@4.5V，3.5A
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
