采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL080N120SC1A
工作温度：-55℃~175℃
功率：178W
阈值电压：4.3V@5mA
栅极电荷：56nC@20V
包装方式：管件
输入电容：1670pF@800V
连续漏极电流：31A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVHL080N120SC1A
工作温度：-55℃~175℃
功率：178W
阈值电压：4.3V@5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@20V
包装方式：管件
输入电容：1670pF@800V
连续漏极电流：31A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG080N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：179W
阈值电压：4.3V@5mA
栅极电荷：56nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1154pF@800V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVHL080N120SC1A
工作温度：-55℃~175℃
功率：178W
阈值电压：4.3V@5mA
栅极电荷：56nC@20V
包装方式：管件
输入电容：1670pF@800V
连续漏极电流：31A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL080N120SC1A
工作温度：-55℃~175℃
功率：178W
阈值电压：4.3V@5mA
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栅极电荷：56nC@20V
包装方式：管件
输入电容：1670pF@800V
连续漏极电流：31A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：18，"22+"：2165，"23+"：37800，"MI+"：1350}
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL080N120SC1
工作温度：-55℃~150℃
功率：348W
阈值电压：4.3V@5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@20V
包装方式：管件
输入电容：1670pF@800V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：200}
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL080N120SC1
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功率：348W
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栅极电荷：56nC@20V
包装方式：管件
输入电容：1670pF@800V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4L080N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：170W
阈值电压：4.3V@5mA
栅极电荷：56nC@20V
包装方式：管件
输入电容：1670pF@800V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBG080N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：179W
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栅极电荷：56nC@20V
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连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
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库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVHL080N120SC1A
工作温度：-55℃~175℃
功率：178W
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包装方式：管件
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连续漏极电流：31A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：4500，"23+"：3750}
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVHL080N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：348W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@20V
包装方式：管件
输入电容：1670pF@800V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4L080N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：170W
阈值电压：4.3V@5mA
栅极电荷：56nC@20V
包装方式：管件
输入电容：1670pF@800V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：200}
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL080N120SC1
工作温度：-55℃~150℃
功率：348W
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栅极电荷：56nC@20V
包装方式：管件
输入电容：1670pF@800V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4L080N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：170W
阈值电压：4.3V@5mA
栅极电荷：56nC@20V
包装方式：管件
输入电容：1670pF@800V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：4500，"23+"：3750}
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVHL080N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：348W
阈值电压：4.3V@5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@20V
包装方式：管件
输入电容：1670pF@800V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG060N090SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.6W€211W
阈值电压：4.3V@5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：88nC@15V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@450V
连续漏极电流：5.8A€44A
类型：N沟道
导通电阻：84mΩ@20A，15V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVHL080N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：348W
阈值电压：4.3V@5mA
栅极电荷：56nC@20V
包装方式：管件
输入电容：1670pF@800V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVHL080N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：348W
阈值电压：4.3V@5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@20V
包装方式：管件
输入电容：1670pF@800V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL080N120SC1A
工作温度：-55℃~175℃
功率：178W
阈值电压：4.3V@5mA
栅极电荷：56nC@20V
包装方式：管件
输入电容：1670pF@800V
连续漏极电流：31A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：9600}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBG080N120SC1
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功率：179W
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栅极电荷：56nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1154pF@800V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：9600}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBG080N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：179W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1154pF@800V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：9600}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBG080N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：179W
阈值电压：4.3V@5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1154pF@800V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG080N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：179W
阈值电压：4.3V@5mA
栅极电荷：56nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1154pF@800V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG080N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：179W
阈值电压：4.3V@5mA
栅极电荷：56nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1154pF@800V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：9600}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBG080N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：179W
阈值电压：4.3V@5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1154pF@800V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4L080N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：170W
阈值电压：4.3V@5mA
栅极电荷：56nC@20V
包装方式：管件
输入电容：1670pF@800V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBG080N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：179W
阈值电压：4.3V@5mA
栅极电荷：56nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1154pF@800V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL080N120SC1
工作温度：-55℃~150℃
功率：348W
阈值电压：4.3V@5mA
栅极电荷：56nC@20V
包装方式：管件
输入电容：1670pF@800V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL080N120SC1A
工作温度：-55℃~175℃
功率：178W
阈值电压：4.3V@5mA
栅极电荷：56nC@20V
包装方式：管件
输入电容：1670pF@800V
连续漏极电流：31A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVHL080N120SC1A
工作温度：-55℃~175℃
功率：178W
阈值电压：4.3V@5mA
栅极电荷：56nC@20V
包装方式：管件
输入电容：1670pF@800V
连续漏极电流：31A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
