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    品牌: ON SEMI
    阈值电压: 4V@239μA
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    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4D2N10MDT1G 起订数100个
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4D2N10MDT1G 起订数100个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:132W

    阈值电压:4V@239μA

    栅极电荷:25nC@6V

    输入电容:3.1nF@50V

    连续漏极电流:113A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:23pF@50V

    导通电阻:3.8mΩ@10V,46A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4D2N10MDT1G 起订数500个
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    功率:132W

    反向传输电容:23pF@50V

    导通电阻:3.8mΩ@10V,46A

    工作温度:-55℃~+150℃

    类型:1个N沟道

    栅极电荷:25nC@6V

    连续漏极电流:113A

    漏源电压:100V

    阈值电压:4V@239μA

    输入电容:3.1nF@50V

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    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4D2N10MDT1G 起订数100个
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    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    功率:132W

    反向传输电容:23pF@50V

    导通电阻:3.8mΩ@10V,46A

    工作温度:-55℃~+150℃

    类型:1个N沟道

    栅极电荷:25nC@6V

    连续漏极电流:113A

    漏源电压:100V

    阈值电压:4V@239μA

    输入电容:3.1nF@50V

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4D2N10MDT1G 起订数500个
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    品牌:ON SEMI

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    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:132W

    阈值电压:4V@239μA

    栅极电荷:25nC@6V

    输入电容:3.1nF@50V

    连续漏极电流:113A

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    反向传输电容:23pF@50V

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    漏源电压:100V

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