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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C020NT1G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.2W€134W
阈值电压：2.2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：139nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10.144nF@15V
连续漏极电流：47A€303A
类型：1个N沟道
导通电阻：0.7mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：2.2V@250μA
栅极电荷：5.3nC@10V
输入电容：302pF@50V
连续漏极电流：2.7A
类型：2个N沟道
导通电阻：105mΩ@10V，2.7A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：2.2V@250μA
栅极电荷：5.3nC@10V
输入电容：302pF@50V
连续漏极电流：2.7A
类型：2个N沟道
导通电阻：105mΩ@10V，2.7A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：2.2V@250μA
栅极电荷：5.3nC@10V
输入电容：302pF@50V
连续漏极电流：2.7A
类型：2个N沟道
导通电阻：105mΩ@10V，2.7A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：2.2V@250μA
栅极电荷：5.3nC@10V
输入电容：302pF@50V
连续漏极电流：2.7A
类型：2个N沟道
导通电阻：105mΩ@10V，2.7A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3W€20W
阈值电压：2.2V@250μA
栅极电荷：6nC@10V
输入电容：327pF@25V
连续漏极电流：7.82A€20A
类型：1个N沟道
反向传输电容：6pF@25V
导通电阻：22mΩ@10V，10A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：2.2V@250μA
栅极电荷：5.3nC@10V
输入电容：302pF@50V
连续漏极电流：2.7A
类型：2个N沟道
导通电阻：105mΩ@10V，2.7A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：2.2V@250μA
栅极电荷：5.3nC@10V
输入电容：302pF@50V
连续漏极电流：2.7A
类型：2个N沟道
导通电阻：105mΩ@10V，2.7A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：2.2V@250μA
栅极电荷：5.3nC@10V
输入电容：302pF@50V
连续漏极电流：2.7A
类型：2个N沟道
导通电阻：105mΩ@10V，2.7A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：2.2V@250μA
栅极电荷：5.3nC@10V
输入电容：302pF@50V
连续漏极电流：2.7A
类型：2个N沟道
导通电阻：105mΩ@10V，2.7A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
栅极电荷：5.3nC@10V
输入电容：302pF@50V
连续漏极电流：2.7A
工作温度：-55℃~+150℃
导通电阻：105mΩ@10V，2.7A
阈值电压：2.2V@250μA
功率：1.6W
漏源电压：100V
类型：2个N沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：43500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C024NT1G
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
功率：770mW
类型：1个N沟道
阈值电压：2.2V@250μA
连续漏极电流：11.9A
导通电阻：2.8mΩ@10V，30A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
栅极电荷：5.3nC@10V
输入电容：302pF@50V
连续漏极电流：2.7A
工作温度：-55℃~+150℃
导通电阻：105mΩ@10V，2.7A
阈值电压：2.2V@250μA
功率：1.6W
漏源电压：100V
类型：2个N沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
