品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFD016N06CT1G
工作温度:-55℃~+175℃
功率:36W
阈值电压:4V@25μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:489pF@30V
连续漏极电流:32A
类型:2个N沟道
反向传输电容:5.7pF@30V
导通电阻:13.6mΩ@10V,5A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":5744}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFD016N06CT1G
工作温度:-55℃~+175℃
功率:36W
阈值电压:4V@25μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:489pF@30V
连续漏极电流:32A
类型:2个N沟道
反向传输电容:5.7pF@30V
导通电阻:13.6mΩ@10V,5A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFD016N06CT1G
工作温度:-55℃~+175℃
功率:36W
阈值电压:4V@25μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:489pF@30V
连续漏极电流:32A
类型:2个N沟道
反向传输电容:5.7pF@30V
导通电阻:13.6mΩ@10V,5A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFD016N06CT1G
工作温度:-55℃~+175℃
功率:36W
阈值电压:4V@25μA
栅极电荷:6.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:489pF@30V
连续漏极电流:32A
类型:2个N沟道
反向传输电容:5.7pF@30V
导通电阻:13.6mΩ@10V,5A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFD016N06CT1G
工作温度:-55℃~+175℃
功率:36W
阈值电压:4V@25μA
栅极电荷:6.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:489pF@30V
连续漏极电流:32A
类型:2个N沟道
反向传输电容:5.7pF@30V
导通电阻:13.6mΩ@10V,5A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFD016N06CT1G
工作温度:-55℃~+175℃
功率:36W
阈值电压:4V@25μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:489pF@30V
连续漏极电流:32A
类型:2个N沟道
反向传输电容:5.7pF@30V
导通电阻:13.6mΩ@10V,5A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFD016N06CT1G
工作温度:-55℃~+175℃
功率:36W
阈值电压:4V@25μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:489pF@30V
连续漏极电流:32A
类型:2个N沟道
反向传输电容:5.7pF@30V
导通电阻:13.6mΩ@10V,5A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFD016N06CT1G
工作温度:-55℃~+175℃
功率:36W
阈值电压:4V@25μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:489pF@30V
连续漏极电流:32A
类型:2个N沟道
反向传输电容:5.7pF@30V
导通电阻:13.6mΩ@10V,5A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFD016N06CT1G
工作温度:-55℃~+175℃
功率:36W
阈值电压:4V@25μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:489pF@30V
连续漏极电流:32A
类型:2个N沟道
反向传输电容:5.7pF@30V
导通电阻:13.6mΩ@10V,5A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":5744}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFD016N06CT1G
工作温度:-55℃~+175℃
功率:36W
阈值电压:4V@25μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:489pF@30V
连续漏极电流:32A
类型:2个N沟道
反向传输电容:5.7pF@30V
导通电阻:13.6mΩ@10V,5A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFD016N06CT1G
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:32A
导通电阻:13.6mΩ@10V,5A
栅极电荷:6.9nC@10V
漏源电压:60V
输入电容:489pF@30V
功率:36W
类型:2个N沟道
反向传输电容:5.7pF@30V
工作温度:-55℃~+175℃
阈值电压:4V@25μA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFD016N06CT1G
工作温度:-55℃~+175℃
功率:36W
阈值电压:4V@25μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:489pF@30V
连续漏极电流:32A
类型:2个N沟道
反向传输电容:5.7pF@30V
导通电阻:13.6mΩ@10V,5A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":5744}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFD016N06CT1G
工作温度:-55℃~+175℃
功率:36W
阈值电压:4V@25μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:489pF@30V
连续漏极电流:32A
类型:2个N沟道
反向传输电容:5.7pF@30V
导通电阻:13.6mΩ@10V,5A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFD016N06CT1G
工作温度:-55℃~+175℃
功率:36W
阈值电压:4V@25μA
栅极电荷:6.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:489pF@30V
连续漏极电流:32A
类型:2个N沟道
反向传输电容:5.7pF@30V
导通电阻:13.6mΩ@10V,5A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: