品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTBG020N090SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€477W
阈值电压:4.3V@20mA
栅极电荷:200nC@15V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4415pF@450V
连续漏极电流:9.8A€112A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@60A,15V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTH4L020N120SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:510W
阈值电压:4.3V@20mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:220nC@20V
包装方式:管件
输入电容:2943pF@800V
连续漏极电流:102A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@60A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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销售单位:个
规格型号(MPN):NTH4L020N120SC1
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包装方式:管件
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连续漏极电流:102A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@60A,20V
漏源电压:1200V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTBG020N120SC1
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功率:3.7W€468W
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类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@60A,20V
漏源电压:1200V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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销售单位:个
规格型号(MPN):NVHL020N090SC1
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类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@60A,15V
漏源电压:900V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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销售单位:个
规格型号(MPN):NTH4L028N170M1
工作温度:-55℃~175℃
功率:535W
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包装方式:管件
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连续漏极电流:81A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@60A,20V
漏源电压:1700V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVBG020N120SC1
工作温度:-55℃~175℃
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连续漏极电流:8.6A€98A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@60A,20V
漏源电压:1200V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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销售单位:个
规格型号(MPN):NVHL020N090SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:503W
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类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@60A,15V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTH4L020N120SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:510W
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类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@60A,20V
漏源电压:1200V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTBG020N090SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€477W
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类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@60A,15V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVH4L020N120SC1
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功率:510W
阈值电压:4.3V@20mA
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包装方式:管件
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连续漏极电流:102A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@60A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVBG020N120SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€468W
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栅极电荷:220nC@20V
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输入电容:2943pF@800V
连续漏极电流:8.6A€98A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@60A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVBG020N090SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€477W
阈值电压:4.3V@20mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:200nC@15V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4415pF@450V
连续漏极电流:9.8A€112A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@60A,15V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVH4L020N120SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:510W
阈值电压:4.3V@20mA
栅极电荷:220nC@20V
包装方式:管件
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连续漏极电流:102A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@60A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVBG020N120SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€468W
阈值电压:4.3V@20mA
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栅极电荷:220nC@20V
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输入电容:2943pF@800V
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类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@60A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTBG020N120SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€468W
阈值电压:4.3V@20mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:220nC@20V
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连续漏极电流:8.6A€98A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@60A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVH4L020N120SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:510W
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栅极电荷:220nC@20V
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连续漏极电流:102A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@60A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTH4L020N120SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:510W
阈值电压:4.3V@20mA
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包装方式:管件
输入电容:2943pF@800V
连续漏极电流:102A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@60A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTBG020N090SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€477W
阈值电压:4.3V@20mA
栅极电荷:200nC@15V
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连续漏极电流:9.8A€112A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@60A,15V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTBG020N120SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€468W
阈值电压:4.3V@20mA
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类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@60A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVBG020N120SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€468W
阈值电压:4.3V@20mA
栅极电荷:220nC@20V
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输入电容:2943pF@800V
连续漏极电流:8.6A€98A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@60A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":800,"23+":3800}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVBG020N120SC1
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功率:3.7W€468W
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连续漏极电流:8.6A€98A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@60A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVBG020N120SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€468W
阈值电压:4.3V@20mA
栅极电荷:220nC@20V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2943pF@800V
连续漏极电流:8.6A€98A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@60A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":800,"23+":3800}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVBG020N120SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€468W
阈值电压:4.3V@20mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:220nC@20V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2943pF@800V
连续漏极电流:8.6A€98A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@60A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":8407,"MI+":450}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHL020N120SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:535W
阈值电压:4.3V@20mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:203nC@20V
包装方式:管件
输入电容:2890pF@800V
连续漏极电流:103A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@60A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVBG020N090SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€477W
阈值电压:4.3V@20mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:200nC@15V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4415pF@450V
连续漏极电流:9.8A€112A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@60A,15V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVBG020N090SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€477W
阈值电压:4.3V@20mA
栅极电荷:200nC@15V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4415pF@450V
连续漏极电流:9.8A€112A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@60A,15V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":800,"23+":3800}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVBG020N120SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€468W
阈值电压:4.3V@20mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:220nC@20V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2943pF@800V
连续漏极电流:8.6A€98A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@60A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVBG020N090SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€477W
阈值电压:4.3V@20mA
栅极电荷:200nC@15V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4415pF@450V
连续漏极电流:9.8A€112A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@60A,15V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":800,"23+":3800}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVBG020N120SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€468W
阈值电压:4.3V@20mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:220nC@20V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2943pF@800V
连续漏极电流:8.6A€98A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@60A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存: