品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":8393,"22+":22849,"23+":104089,"MI+":48000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDG6332C-F085
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:113pF@10V
连续漏极电流:700mA€600mA
类型:N和P沟道
导通电阻:300mΩ@700mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:400pC@4.5V
输入电容:9.5pF@10V
连续漏极电流:220mA€410mA
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:4Ω@220mA,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:1.1nC@4.5V
输入电容:66.5pF@10V
连续漏极电流:700mA
类型:2个N沟道
导通电阻:400mΩ@4.5V,750mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:1.1nC@4.5V
输入电容:66.5pF@10V
连续漏极电流:700mA
类型:2个N沟道
导通电阻:400mΩ@4.5V,750mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:1.1nC@4.5V
输入电容:66.5pF@10V
连续漏极电流:700mA
类型:2个N沟道
导通电阻:400mΩ@4.5V,750mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:1.1nC@4.5V
输入电容:66.5pF@10V
连续漏极电流:700mA
类型:2个N沟道
导通电阻:400mΩ@4.5V,750mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:1.1nC@4.5V
输入电容:66.5pF@10V
连续漏极电流:700mA
类型:2个N沟道
导通电阻:400mΩ@4.5V,750mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
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工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:1.1nC@4.5V
输入电容:66.5pF@10V
连续漏极电流:700mA
类型:2个N沟道
导通电阻:400mΩ@4.5V,750mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
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工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:400pC@4.5V
输入电容:9.5pF@10V
连续漏极电流:220mA€410mA
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:4Ω@220mA,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:1.1nC@4.5V
输入电容:66.5pF@10V
连续漏极电流:700mA
类型:2个N沟道
导通电阻:400mΩ@4.5V,750mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:1.1nC@4.5V
输入电容:66.5pF@10V
连续漏极电流:700mA
类型:2个N沟道
导通电阻:400mΩ@4.5V,750mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:2.3nC@4.5V
输入电容:50pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:2个N沟道
导通电阻:450mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:400pC@4.5V
输入电容:9.5pF@10V
连续漏极电流:220mA€410mA
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:4Ω@220mA,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDG6322C
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:1.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:400pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9.5pF@10V
连续漏极电流:220mA€410mA
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:4Ω@220mA,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
阈值电压:1.5V@250μA
功率:300mW
导通电阻:450mΩ@500mA,4.5V
工作温度:-55℃~+150℃
连续漏极电流:500mA
输入电容:50pF@10V
漏源电压:25V
栅极电荷:2.3nC@4.5V
类型:2个N沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDG6321C
阈值电压:1.5V@250μA
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道+1个P沟道
漏源电压:25V
功率:300mW
导通电阻:450mΩ@500mA,4.5V
工作温度:-55℃~+150℃
连续漏极电流:500mA€410mA
输入电容:50pF@10V
栅极电荷:2.3nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDG6335N
阈值电压:1.5V@250μA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:700mA
输入电容:113pF@10V
栅极电荷:1.4nC@4.5V
类型:2个N沟道
导通电阻:300mΩ@4.5V,700mA
功率:300mW
工作温度:-55℃~+150℃
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDG6332C
阈值电压:1.5V@250μA
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道+1个P沟道
输入电容:113pF@10V
导通电阻:300mΩ@700mA,4.5V
功率:300mW
工作温度:-55℃~+150℃
连续漏极电流:700mA€600mA
栅极电荷:1.5nC@4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
导通电阻:400mΩ@4.5V,750mA
阈值电压:1.5V@250μA
功率:300mW
工作温度:-55℃~+150℃
漏源电压:20V
输入电容:66.5pF@10V
连续漏极电流:700mA
栅极电荷:1.1nC@4.5V
类型:2个N沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
导通电阻:400mΩ@4.5V,750mA
阈值电压:1.5V@250μA
功率:300mW
工作温度:-55℃~+150℃
漏源电压:20V
输入电容:66.5pF@10V
连续漏极电流:700mA
栅极电荷:1.1nC@4.5V
类型:2个N沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
导通电阻:400mΩ@4.5V,750mA
阈值电压:1.5V@250μA
功率:300mW
工作温度:-55℃~+150℃
漏源电压:20V
输入电容:66.5pF@10V
连续漏极电流:700mA
栅极电荷:1.1nC@4.5V
类型:2个N沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存: