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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMYS1D6N04CLTWG
工作温度：-55℃~+175℃
功率：107.1W€3.8W
阈值电压：3V@210μA
栅极电荷：71nC@10V
输入电容：4.301nF@25V
连续漏极电流：185A€35A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.6mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMYS1D6N04CLTWG
工作温度：-55℃~+175℃
功率：107.1W€3.8W
阈值电压：3V@210μA
栅极电荷：71nC@10V
输入电容：4.301nF@25V
连续漏极电流：185A€35A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.6mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
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规格型号(MPN)：NVMYS1D6N04CLTWG
工作温度：-55℃~+175℃
功率：107.1W€3.8W
阈值电压：3V@210μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：71nC@10V
输入电容：4.301nF@25V
连续漏极电流：185A€35A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.6mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
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输入电容：4.301nF@25V
连续漏极电流：185A€35A
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类型：1个N沟道
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导通电阻：1.6mΩ@50A，10V
栅极电荷：71nC@10V
连续漏极电流：185A€35A
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