品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTE4153NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:1.82nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:110pF@16V
连续漏极电流:915mA
类型:N沟道
导通电阻:230mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":2469}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLUS4C16NTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.37W
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:690pF@15V
连续漏极电流:9.4A
类型:N沟道
导通电阻:11.4mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTA4153NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:1.82nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:110pF@16V
连续漏极电流:915mA
类型:N沟道
导通电阻:230mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTA4153NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:1.82nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:110pF@16V
连续漏极电流:915mA
类型:N沟道
导通电阻:230mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTA4153NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:1.82nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:110pF@16V
连续漏极电流:915mA
类型:N沟道
导通电阻:230mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTA4153NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:1.82nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:110pF@16V
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类型:N沟道
导通电阻:230mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVE4153NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.82nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:110pF@16V
连续漏极电流:915mA
类型:N沟道
导通电阻:230mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTE4153NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:1.82nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:110pF@16V
连续漏极电流:915mA
类型:N沟道
导通电阻:230mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTA4153NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:1.82nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:110pF@16V
连续漏极电流:915mA
类型:N沟道
导通电阻:230mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTE4153NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.82nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:110pF@16V
连续漏极电流:915mA
类型:N沟道
导通电阻:230mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVE4153NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:1.82nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:110pF@16V
连续漏极电流:915mA
类型:N沟道
导通电阻:230mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":3994,"23+":1500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLUD4C26NTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.63W
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@15V
连续漏极电流:9.1A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:21mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTE4153NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:1.82nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:110pF@16V
连续漏极电流:915mA
类型:N沟道
导通电阻:230mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTA4153NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.82nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:110pF@16V
连续漏极电流:915mA
类型:N沟道
导通电阻:230mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTE4153NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:1.82nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:110pF@16V
连续漏极电流:915mA
类型:N沟道
导通电阻:230mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVE4153NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:1.82nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:110pF@16V
连续漏极电流:915mA
类型:N沟道
导通电阻:230mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVE4153NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.82nC@4.5V
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连续漏极电流:915mA
类型:N沟道
导通电阻:230mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTA4153NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1.1V@250µA
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输入电容:110pF@16V
连续漏极电流:915mA
类型:N沟道
导通电阻:230mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTE4153NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.82nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:110pF@16V
连续漏极电流:915mA
类型:N沟道
导通电阻:230mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTE4153NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:1.82nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:110pF@16V
连续漏极电流:915mA
类型:N沟道
导通电阻:230mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTE4153NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.82nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:110pF@16V
连续漏极电流:915mA
类型:N沟道
导通电阻:230mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVE4153NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.82nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:110pF@16V
连续漏极电流:915mA
类型:N沟道
导通电阻:230mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTA4153NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:1.82nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:110pF@16V
连续漏极电流:915mA
类型:N沟道
导通电阻:230mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTE4153NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:1.82nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:110pF@16V
连续漏极电流:915mA
类型:N沟道
导通电阻:230mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVE4153NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.82nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:110pF@16V
连续漏极电流:915mA
类型:N沟道
导通电阻:230mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTA4153NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:1.82nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:110pF@16V
连续漏极电流:915mA
类型:N沟道
导通电阻:230mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVE4153NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:1.82nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:110pF@16V
连续漏极电流:915mA
类型:N沟道
导通电阻:230mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTA4153NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:1.82nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:110pF@16V
连续漏极电流:915mA
类型:N沟道
导通电阻:230mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTA4153NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.82nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:110pF@16V
连续漏极电流:915mA
类型:N沟道
导通电阻:230mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVE4153NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.82nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:110pF@16V
连续漏极电流:915mA
类型:N沟道
导通电阻:230mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: