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    品牌: ON SEMI
    阈值电压: 1.1V@250µA
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    onsemi Mosfet场效应管 NTE4153NT1G 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTE4153NT1G 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTE4153NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:1.82nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:110pF@16V

    连续漏极电流:915mA

    类型:N沟道

    导通电阻:230mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS4C16NTAG 起订1530个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS4C16NTAG 起订1530个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":2469}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLUS4C16NTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.37W

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:690pF@15V

    连续漏极电流:9.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.4mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTA4153NT1G 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTA4153NT1G 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTA4153NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:1.82nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:110pF@16V

    连续漏极电流:915mA

    类型:N沟道

    导通电阻:230mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTA4153NT1G 起订30个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTA4153NT1G 起订30个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTA4153NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:1.82nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:110pF@16V

    连续漏极电流:915mA

    类型:N沟道

    导通电阻:230mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTA4153NT1G 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTA4153NT1G 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTA4153NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:1.82nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:110pF@16V

    连续漏极电流:915mA

    类型:N沟道

    导通电阻:230mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTA4153NT1G 起订1500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTA4153NT1G 起订1500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTA4153NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:1.82nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:110pF@16V

    连续漏极电流:915mA

    类型:N沟道

    导通电阻:230mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVE4153NT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVE4153NT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVE4153NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.82nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:110pF@16V

    连续漏极电流:915mA

    类型:N沟道

    导通电阻:230mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTE4153NT1G 起订200个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTE4153NT1G 起订200个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTE4153NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:1.82nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:110pF@16V

    连续漏极电流:915mA

    类型:N沟道

    导通电阻:230mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTA4153NT1G 起订9000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTA4153NT1G 起订9000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTA4153NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:1.82nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:110pF@16V

    连续漏极电流:915mA

    类型:N沟道

    导通电阻:230mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTE4153NT1G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTE4153NT1G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTE4153NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.82nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:110pF@16V

    连续漏极电流:915mA

    类型:N沟道

    导通电阻:230mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVE4153NT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVE4153NT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVE4153NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:1.82nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:110pF@16V

    连续漏极电流:915mA

    类型:N沟道

    导通电阻:230mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUD4C26NTAG 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUD4C26NTAG 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":3994,"23+":1500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLUD4C26NTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.63W

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:460pF@15V

    连续漏极电流:9.1A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:21mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTE4153NT1G 起订9000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTE4153NT1G 起订9000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTE4153NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:1.82nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:110pF@16V

    连续漏极电流:915mA

    类型:N沟道

    导通电阻:230mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTA4153NT1G 起订21000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTA4153NT1G 起订21000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTA4153NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.82nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:110pF@16V

    连续漏极电流:915mA

    类型:N沟道

    导通电阻:230mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTE4153NT1G 起订800个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTE4153NT1G 起订800个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTE4153NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:1.82nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:110pF@16V

    连续漏极电流:915mA

    类型:N沟道

    导通电阻:230mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVE4153NT1G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVE4153NT1G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVE4153NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:1.82nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:110pF@16V

    连续漏极电流:915mA

    类型:N沟道

    导通电阻:230mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVE4153NT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVE4153NT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVE4153NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.82nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:110pF@16V

    连续漏极电流:915mA

    类型:N沟道

    导通电阻:230mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTA4153NT1G 起订9000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTA4153NT1G 起订9000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTA4153NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:1.82nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:110pF@16V

    连续漏极电流:915mA

    类型:N沟道

    导通电阻:230mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTE4153NT1G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTE4153NT1G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTE4153NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.82nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:110pF@16V

    连续漏极电流:915mA

    类型:N沟道

    导通电阻:230mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTE4153NT1G 起订9000个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTE4153NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:1.82nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:110pF@16V

    连续漏极电流:915mA

    类型:N沟道

    导通电阻:230mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTE4153NT1G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTE4153NT1G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTE4153NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.82nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:110pF@16V

    连续漏极电流:915mA

    类型:N沟道

    导通电阻:230mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVE4153NT1G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVE4153NT1G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVE4153NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.82nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:110pF@16V

    连续漏极电流:915mA

    类型:N沟道

    导通电阻:230mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTA4153NT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTA4153NT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTA4153NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:1.82nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:110pF@16V

    连续漏极电流:915mA

    类型:N沟道

    导通电阻:230mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTE4153NT1G 起订500个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTE4153NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:1.82nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:110pF@16V

    连续漏极电流:915mA

    类型:N沟道

    导通电阻:230mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVE4153NT1G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVE4153NT1G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVE4153NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.82nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:110pF@16V

    连续漏极电流:915mA

    类型:N沟道

    导通电阻:230mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTA4153NT1G 起订3000个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTA4153NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:1.82nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:110pF@16V

    连续漏极电流:915mA

    类型:N沟道

    导通电阻:230mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVE4153NT1G 起订2265个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVE4153NT1G 起订2265个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVE4153NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:1.82nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:110pF@16V

    连续漏极电流:915mA

    类型:N沟道

    导通电阻:230mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTA4153NT1G 起订600个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTA4153NT1G 起订600个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTA4153NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:1.82nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:110pF@16V

    连续漏极电流:915mA

    类型:N沟道

    导通电阻:230mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTA4153NT1G 起订8个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTA4153NT1G 起订8个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTA4153NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.82nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:110pF@16V

    连续漏极电流:915mA

    类型:N沟道

    导通电阻:230mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVE4153NT1G 起订4个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVE4153NT1G 起订4个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVE4153NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.82nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:110pF@16V

    连续漏极电流:915mA

    类型:N沟道

    导通电阻:230mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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