采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：4000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB65N02RT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.04W€62.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1330pF@20V
连续漏极电流：7.6A
类型：N沟道
导通电阻：8.2mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"04+"：3855，"05+"：168260，"06+"：527497，"08+"：7445，"09+"：75000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD70N03RT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.36W€62.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.2nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1333pF@20V
连续漏极电流：10A€32A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD14N03RT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.04W€20.8W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：1.8nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：115pF@20V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：95mΩ@5A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：11894}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB23N03RT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：37.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.76nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：225pF@20V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@6A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"05+"：49882，"06+"：72418，"07+"：950}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD65N03RT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W€50W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@20V
连续漏极电流：9.5A€32A
类型：N沟道
导通电阻：8.4mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD14N03RT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.04W€20.8W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.8nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：115pF@20V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：95mΩ@5A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD14N03RT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.04W€20.8W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.8nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：115pF@20V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：95mΩ@5A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD14N03RT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.04W€20.8W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.8nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：115pF@20V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：95mΩ@5A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD14N03RT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.04W€20.8W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：1.8nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：115pF@20V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：95mΩ@5A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD14N03RT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.04W€20.8W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：1.8nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：115pF@20V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：95mΩ@5A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：4000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB65N02RT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.04W€62.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1330pF@20V
连续漏极电流：7.6A
类型：N沟道
导通电阻：8.2mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：350，"11+"：3816}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB75N03RT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€74.4W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1333pF@20V
连续漏极电流：9.7A€75A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD14N03RT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.04W€20.8W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.8nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：115pF@20V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：95mΩ@5A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"04+"：1166，"07+"：52115，"08+"：624930，"11+"：6730}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD23N03RT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.14W€22.3W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.76nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：225pF@20V
连续漏极电流：3.8A€17.1A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@6A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD40N03RT4
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W€50W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：5.78nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：584pF@20V
连续漏极电流：7.8A€32A
类型：N沟道
导通电阻：16.5mΩ@10A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS3610S
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1570pF@13V
连续漏极电流：17.5A€30A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：5mΩ@17.5A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD23N03RT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.14W€22.3W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：3.76nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：225pF@20V
连续漏极电流：3.8A€17.1A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@6A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB65N02RT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.04W€62.5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：9.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1330pF@20V
连续漏极电流：7.6A
类型：N沟道
导通电阻：8.2mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD50N03RT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W€50W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：15nC@11.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@12V
连续漏极电流：7.8A€45A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@30A，11.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS3610S
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1570pF@13V
连续漏极电流：17.5A€30A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：5mΩ@17.5A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD70N03RT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.36W€62.5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：13.2nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1333pF@20V
连续漏极电流：10A€32A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD70N03RT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.36W€62.5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：13.2nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1333pF@20V
连续漏极电流：10A€32A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS3626S
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1570pF@13V
连续漏极电流：17.5A€25A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：5mΩ@17.5A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"03+"：2355，"04+"：53，"05+"：27500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD23N03RT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.14W€22.3W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.76nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：225pF@20V
连续漏极电流：3.8A€17.1A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@6A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：350，"11+"：3816}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB75N03RT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€74.4W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1333pF@20V
连续漏极电流：9.7A€75A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"03+"：242，"04+"：623，"05+"：5805}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD40N03RT4
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W€50W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.78nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：584pF@20V
连续漏极电流：7.8A€32A
类型：N沟道
导通电阻：16.5mΩ@10A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"03+"：89600}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB75N03RT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€74.4W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1333pF@20V
连续漏极电流：9.7A€75A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"05+"：32500，"MI+"：2798}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD70N03RT4
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.36W€62.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.2nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1333pF@20V
连续漏极电流：10A€32A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"04+"：1166，"07+"：52115，"08+"：624930，"11+"：6730}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD23N03RT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.14W€22.3W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.76nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：225pF@20V
连续漏极电流：3.8A€17.1A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@6A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：11894}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB23N03RT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：37.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.76nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：225pF@20V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@6A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
