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    品牌: ON SEMI
    阈值电压: 2V@250µA
    漏源电压: 25V
    包装方式: 卷带(TR)
    当前匹配商品:50+
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    onsemi Mosfet场效应管 NTB65N02RT4G
    onsemi Mosfet场效应管 NTB65N02RT4G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"09+":4000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTB65N02RT4G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.04W€62.5W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1330pF@20V

    连续漏极电流:7.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.2mΩ@30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:822
    onsemi Mosfet场效应管 NTD70N03RT4G
    onsemi Mosfet场效应管 NTD70N03RT4G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"04+":3855,"05+":168260,"06+":527497,"08+":7445,"09+":75000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD70N03RT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.36W€62.5W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13.2nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1333pF@20V

    连续漏极电流:10A€32A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@20A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:891
    onsemi Mosfet场效应管 NTD14N03RT4G
    onsemi Mosfet场效应管 NTD14N03RT4G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD14N03RT4G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.04W€20.8W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:1.8nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:115pF@20V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:95mΩ@5A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
    加购:2500
    onsemi Mosfet场效应管 NTB23N03RT4G
    onsemi Mosfet场效应管 NTB23N03RT4G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"08+":11894}

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTB23N03RT4G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:37.5W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.76nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:225pF@20V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@6A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2498
    onsemi Mosfet场效应管 NTD65N03RT4G
    onsemi Mosfet场效应管 NTD65N03RT4G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"05+":49882,"06+":72418,"07+":950}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD65N03RT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.3W€50W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@20V

    连续漏极电流:9.5A€32A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.4mΩ@30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:709
    onsemi Mosfet场效应管 NTD14N03RT4G
    onsemi Mosfet场效应管 NTD14N03RT4G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD14N03RT4G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.04W€20.8W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.8nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:115pF@20V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:95mΩ@5A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 NTD14N03RT4G
    onsemi Mosfet场效应管 NTD14N03RT4G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD14N03RT4G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.04W€20.8W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.8nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:115pF@20V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:95mΩ@5A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 NTD14N03RT4G
    onsemi Mosfet场效应管 NTD14N03RT4G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD14N03RT4G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.04W€20.8W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.8nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:115pF@20V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:95mΩ@5A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 NTD14N03RT4G
    onsemi Mosfet场效应管 NTD14N03RT4G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD14N03RT4G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.04W€20.8W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:1.8nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:115pF@20V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:95mΩ@5A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    加购:5
    onsemi Mosfet场效应管 NTD14N03RT4G
    onsemi Mosfet场效应管 NTD14N03RT4G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD14N03RT4G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.04W€20.8W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:1.8nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:115pF@20V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:95mΩ@5A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    加购:5
    onsemi Mosfet场效应管 NTB65N02RT4G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTB65N02RT4G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"09+":4000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTB65N02RT4G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.04W€62.5W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1330pF@20V

    连续漏极电流:7.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.2mΩ@30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 NTB75N03RT4G
    onsemi Mosfet场效应管 NTB75N03RT4G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":350,"11+":3816}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTB75N03RT4G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W€74.4W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1333pF@20V

    连续漏极电流:9.7A€75A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@20A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 NTD14N03RT4G
    onsemi Mosfet场效应管 NTD14N03RT4G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD14N03RT4G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.04W€20.8W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.8nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:115pF@20V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:95mΩ@5A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 NTD23N03RT4G
    onsemi Mosfet场效应管 NTD23N03RT4G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"04+":1166,"07+":52115,"08+":624930,"11+":6730}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD23N03RT4G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.14W€22.3W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.76nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:225pF@20V

    连续漏极电流:3.8A€17.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@6A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    onsemi Mosfet场效应管 NTD40N03RT4
    onsemi Mosfet场效应管 NTD40N03RT4

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD40N03RT4

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W€50W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:5.78nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:584pF@20V

    连续漏极电流:7.8A€32A

    类型:N沟道

    导通电阻:16.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2671
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3610S
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3610S

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS3610S

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1570pF@13V

    连续漏极电流:17.5A€30A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    导通电阻:5mΩ@17.5A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 NTD23N03RT4
    onsemi Mosfet场效应管 NTD23N03RT4

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD23N03RT4

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.14W€22.3W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:3.76nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:225pF@20V

    连续漏极电流:3.8A€17.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@6A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    onsemi Mosfet场效应管 NTB65N02RT4G
    onsemi Mosfet场效应管 NTB65N02RT4G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTB65N02RT4G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.04W€62.5W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:9.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1330pF@20V

    连续漏极电流:7.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.2mΩ@30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 NTD50N03RT4G
    onsemi Mosfet场效应管 NTD50N03RT4G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD50N03RT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W€50W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:15nC@11.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:750pF@12V

    连续漏极电流:7.8A€45A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@30A,11.5V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3562
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3610S
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3610S

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS3610S

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1570pF@13V

    连续漏极电流:17.5A€30A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    导通电阻:5mΩ@17.5A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 NTD70N03RT4G
    onsemi Mosfet场效应管 NTD70N03RT4G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD70N03RT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.36W€62.5W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:13.2nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1333pF@20V

    连续漏极电流:10A€32A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@20A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:891
    onsemi Mosfet场效应管 NTD70N03RT4G
    onsemi Mosfet场效应管 NTD70N03RT4G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD70N03RT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.36W€62.5W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:13.2nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1333pF@20V

    连续漏极电流:10A€32A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@20A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3626S
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3626S

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):1psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS3626S

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1570pF@13V

    连续漏极电流:17.5A€25A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    导通电阻:5mΩ@17.5A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 NTD23N03RT4
    onsemi Mosfet场效应管 NTD23N03RT4

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"03+":2355,"04+":53,"05+":27500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD23N03RT4

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.14W€22.3W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.76nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:225pF@20V

    连续漏极电流:3.8A€17.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@6A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3206
    onsemi Mosfet场效应管 NTB75N03RT4G
    onsemi Mosfet场效应管 NTB75N03RT4G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":350,"11+":3816}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTB75N03RT4G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W€74.4W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1333pF@20V

    连续漏极电流:9.7A€75A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@20A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:300
    onsemi Mosfet场效应管 NTD40N03RT4
    onsemi Mosfet场效应管 NTD40N03RT4

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"03+":242,"04+":623,"05+":3586}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD40N03RT4

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W€50W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.78nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:584pF@20V

    连续漏极电流:7.8A€32A

    类型:N沟道

    导通电阻:16.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2671
    onsemi Mosfet场效应管 NTB75N03RT4
    onsemi Mosfet场效应管 NTB75N03RT4

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"03+":89600}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTB75N03RT4

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W€74.4W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1333pF@20V

    连续漏极电流:9.7A€75A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@20A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1457
    onsemi Mosfet场效应管 NTD70N03RT4
    onsemi Mosfet场效应管 NTD70N03RT4

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"05+":32500,"MI+":2798}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD70N03RT4

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.36W€62.5W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13.2nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1333pF@20V

    连续漏极电流:10A€32A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@20A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1886
    onsemi Mosfet场效应管 NTD23N03RT4G
    onsemi Mosfet场效应管 NTD23N03RT4G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"04+":1166,"07+":52115,"08+":624930,"11+":6730}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD23N03RT4G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.14W€22.3W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.76nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:225pF@20V

    连续漏极电流:3.8A€17.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@6A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3206
    onsemi Mosfet场效应管 NTB23N03RT4G
    onsemi Mosfet场效应管 NTB23N03RT4G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"08+":11894}

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTB23N03RT4G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:37.5W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.76nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:225pF@20V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@6A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
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