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    栅极电荷
    连续漏极电流
    品牌: ON SEMI
    阈值电压: 2V@250µA
    功率: 2.5W€125W
    当前匹配商品:9
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    onsemi Mosfet场效应管 MTB50P03HDLT4G 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 MTB50P03HDLT4G 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):MTB50P03HDLT4G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€125W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4900pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@25A,5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTP75N03-006 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTP75N03-006 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"04+":1880,"05+":1950,"MI+":2400}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTP75N03-006

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€125W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:75nC@5V

    包装方式:管件

    输入电容:5635pF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5mΩ@37.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTP75N03-006 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTP75N03-006 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"04+":1880,"05+":1950,"MI+":2400}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTP75N03-006

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€125W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:75nC@5V

    包装方式:管件

    输入电容:5635pF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5mΩ@37.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 MTB50P03HDLT4G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 MTB50P03HDLT4G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):MTB50P03HDLT4G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€125W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4900pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@25A,5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 MTB50P03HDLT4G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 MTB50P03HDLT4G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):MTB50P03HDLT4G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€125W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4900pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@25A,5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTP75N03-006 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTP75N03-006 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTP75N03-006

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€125W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:75nC@5V

    包装方式:管件

    输入电容:5635pF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5mΩ@37.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 MTB50P03HDLT4G 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 MTB50P03HDLT4G 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):MTB50P03HDLT4G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€125W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4900pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@25A,5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 MTB50P03HDLT4G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 MTB50P03HDLT4G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):MTB50P03HDLT4G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€125W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4900pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@25A,5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTP75N03-006 起订629个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTP75N03-006 起订629个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"04+":1880,"05+":1950,"MI+":2400}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTP75N03-006

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€125W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:75nC@5V

    包装方式:管件

    输入电容:5635pF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5mΩ@37.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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