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    品牌: ON SEMI
    阈值电压: 2V@250µA
    工作温度: -55℃~150℃
    行业应用: 汽车
    当前匹配商品:900+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
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    操作
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5H600NLT1G 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5H600NLT1G 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5H600NLT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.3W€160W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:89nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6680pF@30V

    连续漏极电流:35A€250A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.3mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTP75N03R 起订605个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTP75N03R 起订605个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"03+":2917}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTP75N03R

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W€74.4W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13.2nC@5V

    包装方式:管件

    输入电容:1333pF@20V

    连续漏极电流:9.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@20A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5H600NLT1G 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5H600NLT1G 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5H600NLT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.3W€160W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:89nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6680pF@30V

    连续漏极电流:35A€250A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.3mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC645N 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC645N 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC645N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1460pF@15V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:26mΩ@6.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQB19N20LTM 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQB19N20LTM 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQB19N20LTM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.13W€140W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2200pF@25V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:140mΩ@10.5A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFSC1D6N06CL 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFSC1D6N06CL 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFSC1D6N06CL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.1W€166W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:91nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6660pF@25V

    连续漏极电流:35A€224A

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 BVSS84LT1G 起订25个装
    onsemi Mosfet场效应管 BVSS84LT1G 起订25个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BVSS84LT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:225mW

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:2.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:36pF@5V

    连续漏极电流:130mA

    类型:P沟道

    导通电阻:10Ω@100mA,5V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTB65N02RT4G 起订822个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTB65N02RT4G 起订822个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"09+":4000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTB65N02RT4G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.04W€62.5W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1330pF@20V

    连续漏极电流:7.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.2mΩ@30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5H615NLT1G 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5H615NLT1G 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5H615NLT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€139W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4860pF@30V

    连续漏极电流:28A€185A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8mΩ@49A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFSC0D9N04CL 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFSC0D9N04CL 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFSC0D9N04CL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:143nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8500pF@20V

    连续漏极电流:313A

    类型:N沟道

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC645N 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC645N 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC645N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:21nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1460pF@15V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:26mΩ@6.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD12N20LTM-F085 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD12N20LTM-F085 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD12N20LTM-F085

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€55W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1080pF@25V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:280mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 2N7002DW 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 2N7002DW 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002DW

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:200mW

    阈值电压:2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:115mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:7.5Ω@50mA,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC645N 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC645N 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC645N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1460pF@15V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:26mΩ@6.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5H400NLT1G 起订98个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5H400NLT1G 起订98个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"16+":181,"17+":42211,"22+":3000,"23+":145031}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5H400NLT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.3W€160W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:120nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7700pF@20V

    连续漏极电流:46A€330A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.8mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD95N02R-1G 起订1527个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD95N02R-1G 起订1527个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"05+":1875}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD95N02R-1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W€86W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:2400pF@20V

    连续漏极电流:12A€32A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@20A,10V

    漏源电压:24V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 BSS84LT1G 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 BSS84LT1G 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS84LT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:225mW

    阈值电压:2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:30pF@5V

    连续漏极电流:130mA

    类型:P沟道

    导通电阻:10Ω@100mA,5V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD14N03RT4G 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD14N03RT4G 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD14N03RT4G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.04W€20.8W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:1.8nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:115pF@20V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:95mΩ@5A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 BVSS84LT1G 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 BVSS84LT1G 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BVSS84LT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:225mW

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:2.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:36pF@5V

    连续漏极电流:130mA

    类型:P沟道

    导通电阻:10Ω@100mA,5V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD85N02R-1G 起订1233个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD85N02R-1G 起订1233个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"07+":155633,"08+":86900,"10+":3600,"MI+":172}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD85N02R-1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W€78.1W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17.7nC@5V

    包装方式:管件

    输入电容:2050pF@20V

    连续漏极电流:12A€85A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:24V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTB23N03RT4G 起订2498个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTB23N03RT4G 起订2498个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"08+":11894}

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTB23N03RT4G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:37.5W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.76nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:225pF@20V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@6A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 SBSS84LT1G 起订7个装
    onsemi Mosfet场效应管 SBSS84LT1G 起订7个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SBSS84LT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:225mW

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:36pF@5V

    连续漏极电流:130mA

    类型:P沟道

    导通电阻:10Ω@100mA,5V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD25P03LT4G 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD25P03LT4G 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD25P03LT4G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:75W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:20nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1260pF@25V

    连续漏极电流:25A

    类型:P沟道

    导通电阻:80mΩ@25A,5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC645N 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC645N 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC645N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1460pF@15V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:26mΩ@6.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLGF3501NT2G 起订802个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLGF3501NT2G 起订802个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"16+":192000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLGF3501NT2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.14W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:275pF@10V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@3.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLGD3502NT1G 起订782个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLGD3502NT1G 起订782个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"07+":8990,"08+":6000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLGD3502NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.74W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:480pF@10V

    连续漏极电流:4.3A€3.6A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:60mΩ@4.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD23N03R-001 起订3206个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD23N03R-001 起订3206个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"03+":3372}

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD23N03R-001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.14W€22.3W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.76nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:225pF@20V

    连续漏极电流:3.8A€17.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@6A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 SBSS84LT1G 起订9个装
    onsemi Mosfet场效应管 SBSS84LT1G 起订9个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SBSS84LT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:225mW

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:2.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:36pF@5V

    连续漏极电流:130mA

    类型:P沟道

    导通电阻:10Ω@100mA,5V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5H419NLT1G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5H419NLT1G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5H419NLT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€89W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2900pF@20V

    连续漏极电流:29A€155A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.1mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTB23N03R 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTB23N03R 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"04+":8250}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTB23N03R

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:37.5W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.76nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:225pF@20V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@6A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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