品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5H600NLT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W€160W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:89nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6680pF@30V
连续漏极电流:35A€250A
类型:N沟道
导通电阻:1.3mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"03+":2917}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP75N03R
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€74.4W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.2nC@5V
包装方式:管件
输入电容:1333pF@20V
连续漏极电流:9.7A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5H600NLT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W€160W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:89nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6680pF@30V
连续漏极电流:35A€250A
类型:N沟道
导通电阻:1.3mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC645N
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1460pF@15V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@6.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB19N20LTM
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.13W€140W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@25V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@10.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFSC1D6N06CL
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.1W€166W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:91nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6660pF@25V
连续漏极电流:35A€224A
类型:N沟道
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BVSS84LT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:225mW
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:2.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:36pF@5V
连续漏极电流:130mA
类型:P沟道
导通电阻:10Ω@100mA,5V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"09+":4000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB65N02RT4G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.04W€62.5W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1330pF@20V
连续漏极电流:7.6A
类型:N沟道
导通电阻:8.2mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5H615NLT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€139W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4860pF@30V
连续漏极电流:28A€185A
类型:N沟道
导通电阻:1.8mΩ@49A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFSC0D9N04CL
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:143nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8500pF@20V
连续漏极电流:313A
类型:N沟道
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC645N
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:21nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1460pF@15V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@6.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD12N20LTM-F085
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€55W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1080pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@4.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002DW
工作温度:-55℃~150℃
功率:200mW
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:115mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:7.5Ω@50mA,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC645N
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1460pF@15V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@6.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":181,"17+":42211,"22+":3000,"23+":145031}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5H400NLT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W€160W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7700pF@20V
连续漏极电流:46A€330A
类型:N沟道
导通电阻:0.8mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"05+":1875}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD95N02R-1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€86W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:2400pF@20V
连续漏极电流:12A€32A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@20A,10V
漏源电压:24V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84LT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:225mW
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@5V
连续漏极电流:130mA
类型:P沟道
导通电阻:10Ω@100mA,5V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD14N03RT4G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.04W€20.8W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:1.8nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:115pF@20V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:95mΩ@5A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BVSS84LT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:225mW
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:2.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:36pF@5V
连续漏极电流:130mA
类型:P沟道
导通电阻:10Ω@100mA,5V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"07+":155633,"08+":86900,"10+":3600,"MI+":172}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD85N02R-1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€78.1W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17.7nC@5V
包装方式:管件
输入电容:2050pF@20V
连续漏极电流:12A€85A
类型:N沟道
导通电阻:5.2mΩ@20A,10V
漏源电压:24V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"08+":11894}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB23N03RT4G
工作温度:-55℃~150℃
功率:37.5W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.76nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:225pF@20V
连续漏极电流:23A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@6A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SBSS84LT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:225mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:36pF@5V
连续漏极电流:130mA
类型:P沟道
导通电阻:10Ω@100mA,5V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD25P03LT4G
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:20nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1260pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:P沟道
导通电阻:80mΩ@25A,5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC645N
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1460pF@15V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@6.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":192000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLGF3501NT2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.14W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:275pF@10V
连续漏极电流:2.8A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@3.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"07+":8990,"08+":6000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLGD3502NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.74W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:480pF@10V
连续漏极电流:4.3A€3.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:60mΩ@4.3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"03+":3372}
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD23N03R-001
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.14W€22.3W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.76nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:225pF@20V
连续漏极电流:3.8A€17.1A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@6A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SBSS84LT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:225mW
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:2.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:36pF@5V
连续漏极电流:130mA
类型:P沟道
导通电阻:10Ω@100mA,5V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5H419NLT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€89W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2900pF@20V
连续漏极电流:29A€155A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"04+":8250}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB23N03R
工作温度:-55℃~150℃
功率:37.5W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.76nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:225pF@20V
连续漏极电流:23A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@6A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存: