采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86246
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：215pF@75V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：236mΩ@2A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86246
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：215pF@75V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：236mΩ@2A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86246
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：215pF@75V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：236mΩ@2A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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功率：2.2W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：215pF@75V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：236mΩ@2A，10V
漏源电压：150V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDT86246
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：215pF@75V
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类型：N沟道
导通电阻：236mΩ@2A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDT86246
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
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栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：215pF@75V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：236mΩ@2A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86246
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：215pF@75V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：236mΩ@2A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"03+"：8561}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTF3055-160T1
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86246
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：215pF@75V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：236mΩ@2A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDT86246
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@10V
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输入电容：215pF@75V
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类型：N沟道
导通电阻：236mΩ@2A，10V
漏源电压：150V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDT86246
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
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ECCN：EAR99
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导通电阻：236mΩ@2A，10V
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行业应用：工业,汽车
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功率：2.2W
阈值电压：4V@250µA
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类型：N沟道
导通电阻：236mΩ@2A，10V
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功率：2.2W
阈值电压：4V@250µA
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栅极电荷：4nC@10V
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输入电容：215pF@75V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：236mΩ@2A，10V
漏源电压：150V
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行业应用：工业,汽车
生产批次：{"03+"：8561}
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规格型号(MPN)：NTF3055-160T1
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W
阈值电压：4V@250µA
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栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDT86246
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：4V@250µA
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栅极电荷：4nC@10V
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类型：N沟道
导通电阻：236mΩ@2A，10V
漏源电压：150V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDT86246
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：4V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：215pF@75V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：236mΩ@2A，10V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTF3055-160T1
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
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栅极电荷：4nC@10V
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连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：236mΩ@2A，10V
漏源电压：150V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86246
工作温度：-55℃~150℃
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栅极电荷：4nC@10V
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连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：236mΩ@2A，10V
漏源电压：150V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDT86246
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功率：2.2W
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：236mΩ@2A，10V
类型：N沟道
连续漏极电流：2A
漏源电压：150V
阈值电压：4V@250µA
输入电容：215pF@75V
ECCN：EAR99
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86246
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：215pF@75V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：236mΩ@2A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86246
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：215pF@75V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：236mΩ@2A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86246
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：215pF@75V
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类型：N沟道
导通电阻：236mΩ@2A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
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