品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD19N10TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:780pF@25V
连续漏极电流:15.6A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@7.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS2582
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1290pF@25V
连续漏极电流:4.1A
类型:N沟道
导通电阻:66mΩ@4.1A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD30N06TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€44W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:945pF@25V
连续漏极电流:22.7A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@11.4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD30N06TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€44W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:945pF@25V
连续漏极电流:22.7A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@11.4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD2582
工作温度:-55℃~175℃
功率:95W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1295pF@25V
连续漏极电流:3.7A€21A
类型:N沟道
导通电阻:66mΩ@7A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD30N06TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€44W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:945pF@25V
连续漏极电流:22.7A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@11.4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS2582
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1290pF@25V
连续漏极电流:4.1A
类型:N沟道
导通电阻:66mΩ@4.1A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD30N06TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€44W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:945pF@25V
连续漏极电流:22.7A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@11.4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD30N06TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€44W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:945pF@25V
连续漏极电流:22.7A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@11.4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS2582
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1290pF@25V
连续漏极电流:4.1A
类型:N沟道
导通电阻:66mΩ@4.1A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS2582
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1290pF@25V
连续漏极电流:4.1A
类型:N沟道
导通电阻:66mΩ@4.1A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS2582
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1290pF@25V
连续漏极电流:4.1A
类型:N沟道
导通电阻:66mΩ@4.1A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS2582
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1290pF@25V
连续漏极电流:4.1A
类型:N沟道
导通电阻:66mΩ@4.1A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS2582
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1290pF@25V
连续漏极电流:4.1A
类型:N沟道
导通电阻:66mΩ@4.1A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD2582
工作温度:-55℃~175℃
功率:95W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1295pF@25V
连续漏极电流:3.7A€21A
类型:N沟道
导通电阻:66mΩ@7A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP30N06
工作温度:-55℃~175℃
功率:79W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:管件
输入电容:945pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS2582
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1290pF@25V
连续漏极电流:4.1A
类型:N沟道
导通电阻:66mΩ@4.1A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF630
工作温度:-55℃~150℃
功率:38W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:管件
输入电容:550pF@25V
连续漏极电流:6.3A
类型:N沟道
导通电阻:400mΩ@3.15A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):489psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF19N10
工作温度:-55℃~175℃
功率:38W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:散装
输入电容:780pF@25V
连续漏极电流:13.6A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@6.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD2582
工作温度:-55℃~175℃
功率:95W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1295pF@25V
连续漏极电流:3.7A€21A
类型:N沟道
导通电阻:66mΩ@7A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD30N06TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€44W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:945pF@25V
连续漏极电流:22.7A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@11.4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD30N06TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€44W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:945pF@25V
连续漏极电流:22.7A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@11.4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD2582
工作温度:-55℃~175℃
功率:95W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1295pF@25V
连续漏极电流:3.7A€21A
类型:N沟道
导通电阻:66mΩ@7A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP30N06
工作温度:-55℃~175℃
功率:79W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:管件
输入电容:945pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD2582
工作温度:-55℃~175℃
功率:95W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1295pF@25V
连续漏极电流:3.7A€21A
类型:N沟道
导通电阻:66mΩ@7A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD2582
工作温度:-55℃~175℃
功率:95W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1295pF@25V
连续漏极电流:3.7A€21A
类型:N沟道
导通电阻:66mΩ@7A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD2582
工作温度:-55℃~175℃
功率:95W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1295pF@25V
连续漏极电流:3.7A€21A
类型:N沟道
导通电阻:66mΩ@7A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":1000,"19+":1000}
包装规格(MPQ):489psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF19N10
工作温度:-55℃~175℃
功率:38W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:散装
输入电容:780pF@25V
连续漏极电流:13.6A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@6.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":1000,"19+":1000}
包装规格(MPQ):489psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF19N10
工作温度:-55℃~175℃
功率:38W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:散装
输入电容:780pF@25V
连续漏极电流:13.6A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@6.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD2582
工作温度:-55℃~175℃
功率:95W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1295pF@25V
连续漏极电流:3.7A€21A
类型:N沟道
导通电阻:66mΩ@7A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存: