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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1678}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD26AN06A0-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@25V
连续漏极电流：7A€36A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@36A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDM3622
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1090pF@25V
连续漏极电流：4.4A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@4.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDM3622
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
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类型：N沟道
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漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1678}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD26AN06A0-F085
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功率：75W
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栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：7A€36A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@36A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDM3622
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
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类型：N沟道
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漏源电压：100V
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库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1678}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD26AN06A0-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
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栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@25V
连续漏极电流：7A€36A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@36A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDM3622
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
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栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1090pF@25V
连续漏极电流：4.4A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@4.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDM3622
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
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栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1090pF@25V
连续漏极电流：4.4A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@4.4A，10V
漏源电压：100V
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库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDM3622
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
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栅极电荷：17nC@10V
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输入电容：1090pF@25V
连续漏极电流：4.4A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@4.4A，10V
漏源电压：100V
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库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDM3622
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
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栅极电荷：17nC@10V
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类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@4.4A，10V
漏源电压：100V
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库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDM3622
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
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栅极电荷：17nC@10V
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类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@4.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDM3622
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
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栅极电荷：17nC@10V
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连续漏极电流：4.4A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@4.4A，10V
漏源电压：100V
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库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDM3622
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
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类型：N沟道
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDM3622
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：4V@250µA
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栅极电荷：17nC@10V
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连续漏极电流：4.4A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@4.4A，10V
漏源电压：100V
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库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD26AN06A0-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@25V
连续漏极电流：7A€36A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@36A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDM3622
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：4V@250µA
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栅极电荷：17nC@10V
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输入电容：1090pF@25V
连续漏极电流：4.4A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@4.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDM3622
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1090pF@25V
连续漏极电流：4.4A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@4.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MTD3055V
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€48W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDM3622
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1090pF@25V
连续漏极电流：4.4A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@4.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MTD3055V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@25V
功率：3.9W€48W
栅极电荷：17nC@10V
类型：N沟道
连续漏极电流：12A
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：150mΩ@6A，10V
阈值电压：4V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDM3622
输入电容：1090pF@25V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
栅极电荷：17nC@10V
类型：N沟道
阈值电压：4V@250µA
导通电阻：60mΩ@4.4A，10V
连续漏极电流：4.4A
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"22+"：1678}
规格型号(MPN)：FDD26AN06A0-F085
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：26mΩ@36A，10V
栅极电荷：17nC@10V
类型：N沟道
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~175℃
输入电容：800pF@25V
阈值电压：4V@250µA
连续漏极电流：7A€36A
ECCN：EAR99
功率：75W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDM3622
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1090pF@25V
连续漏极电流：4.4A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@4.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDM3622
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1090pF@25V
连续漏极电流：4.4A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@4.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDM3622
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1090pF@25V
连续漏极电流：4.4A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@4.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1678}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD26AN06A0-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@25V
连续漏极电流：7A€36A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@36A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD26AN06A0-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@25V
连续漏极电流：7A€36A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@36A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MTD3055V
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€48W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1678}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD26AN06A0-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@25V
连续漏极电流：7A€36A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@36A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDM3622
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1090pF@25V
连续漏极电流：4.4A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@4.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
