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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS015N04B
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：118nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8725pF@20V
连续漏极电流：31.3A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMT80040DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：338nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：26110pF@20V
连续漏极电流：420A
类型：N沟道
导通电阻：0.56mΩ@64A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS015N04B
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：118nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8725pF@20V
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类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：FDMT80040DC
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功率：156W
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ECCN：EAR99
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包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：420A
类型：N沟道
导通电阻：0.56mΩ@64A，10V
漏源电压：40V
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：FDMT80040DC
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功率：156W
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类型：N沟道
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规格型号(MPN)：FDMS015N04B
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功率：2.5W€104W
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ECCN：EAR99
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输入电容：8725pF@20V
连续漏极电流：31.3A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
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功率：156W
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：26110pF@20V
连续漏极电流：420A
类型：N沟道
导通电阻：0.56mΩ@64A，10V
漏源电压：40V
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功率：156W
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连续漏极电流：420A
类型：N沟道
导通电阻：0.56mΩ@64A，10V
漏源电压：40V
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功率：156W
阈值电压：4V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
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类型：N沟道
导通电阻：0.56mΩ@64A，10V
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工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：338nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：26110pF@20V
连续漏极电流：420A
类型：N沟道
导通电阻：0.56mΩ@64A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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功率：156W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：338nC@10V
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类型：N沟道
导通电阻：0.56mΩ@64A，10V
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功率：156W
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栅极电荷：338nC@10V
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类型：N沟道
导通电阻：0.56mΩ@64A，10V
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规格型号(MPN)：FDMS015N04B
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：118nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8725pF@20V
连续漏极电流：31.3A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@50A，10V
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功率：2.5W€104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：118nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8725pF@20V
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导通电阻：1.5mΩ@50A，10V
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功率：156W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：338nC@10V
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类型：N沟道
导通电阻：0.56mΩ@64A，10V
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ECCN：EAR99
栅极电荷：338nC@10V
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连续漏极电流：420A
类型：N沟道
导通电阻：0.56mΩ@64A，10V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDMT80040DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：338nC@10V
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类型：N沟道
导通电阻：0.56mΩ@64A，10V
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规格型号(MPN)：FDMS015N04B
工作温度：-55℃~150℃
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导通电阻：1.5mΩ@50A，10V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDMS015N04B
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
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输入电容：8725pF@20V
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类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDMT80040DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
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类型：N沟道
导通电阻：0.56mΩ@64A，10V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDMT80040DC
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包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMT80040DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
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类型：N沟道
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMT80040DC
输入电容：26110pF@20V
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包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
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类型：N沟道
栅极电荷：338nC@10V
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ECCN：EAR99
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMT80040DC
输入电容：26110pF@20V
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工作温度：-55℃~150℃
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类型：N沟道
栅极电荷：338nC@10V
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：12000，"23+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS015N04B
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
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包装方式：卷带（TR）
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类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS015N04B
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：4V@250µA
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栅极电荷：118nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
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分类：Mosfet场效应管
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销售单位：个
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工作温度：-55℃~150℃
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：8725pF@20V
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类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS015N04B
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
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包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：31.3A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS015N04B
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：4V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
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导通电阻：1.5mΩ@50A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS015N04B
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：118nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8725pF@20V
连续漏极电流：31.3A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@50A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
