采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN8601
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@50V
连续漏极电流：2.7A
类型：N沟道
导通电阻：109mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN86265P
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@75V
连续漏极电流：800mA
类型：P沟道
导通电阻：1.2Ω@800mA，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDN8601
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功率：1.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@50V
连续漏极电流：2.7A
类型：N沟道
导通电阻：109mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
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输入电容：210pF@50V
连续漏极电流：2.7A
类型：N沟道
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功率：1.5W
阈值电压：4V@250µA
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栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@50V
连续漏极电流：2.7A
类型：N沟道
导通电阻：109mΩ@1.5A，10V
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功率：1.5W
阈值电压：4V@250µA
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栅极电荷：4.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@75V
连续漏极电流：800mA
类型：P沟道
导通电阻：1.2Ω@800mA，10V
漏源电压：150V
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输入电容：210pF@50V
连续漏极电流：2.7A
类型：N沟道
导通电阻：109mΩ@1.5A，10V
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连续漏极电流：2.7A
类型：N沟道
导通电阻：109mΩ@1.5A，10V
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规格型号(MPN)：FDN86265P
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功率：1.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@75V
连续漏极电流：800mA
类型：P沟道
导通电阻：1.2Ω@800mA，10V
漏源电压：150V
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栅极电荷：4.1nC@10V
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输入电容：210pF@75V
连续漏极电流：800mA
类型：P沟道
导通电阻：1.2Ω@800mA，10V
漏源电压：150V
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功率：1.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：4.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@75V
连续漏极电流：800mA
类型：P沟道
导通电阻：1.2Ω@800mA，10V
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功率：1.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@50V
连续漏极电流：2.7A
类型：N沟道
导通电阻：109mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
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功率：1.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：5nC@10V
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输入电容：210pF@50V
连续漏极电流：2.7A
类型：N沟道
导通电阻：109mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDN86265P
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功率：1.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@75V
连续漏极电流：800mA
类型：P沟道
导通电阻：1.2Ω@800mA，10V
漏源电压：150V
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规格型号(MPN)：FDN8601
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功率：1.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：5nC@10V
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输入电容：210pF@50V
连续漏极电流：2.7A
类型：N沟道
导通电阻：109mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
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栅极电荷：4.1nC@10V
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输入电容：210pF@75V
连续漏极电流：800mA
类型：P沟道
导通电阻：1.2Ω@800mA，10V
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栅极电荷：5nC@10V
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连续漏极电流：2.7A
类型：N沟道
导通电阻：109mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDN86265P
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功率：1.5W
阈值电压：4V@250µA
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栅极电荷：4.1nC@10V
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输入电容：210pF@75V
连续漏极电流：800mA
类型：P沟道
导通电阻：1.2Ω@800mA，10V
漏源电压：150V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDN86265P
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功率：1.5W
阈值电压：4V@250µA
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栅极电荷：4.1nC@10V
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输入电容：210pF@75V
连续漏极电流：800mA
类型：P沟道
导通电阻：1.2Ω@800mA，10V
漏源电压：150V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDN86265P
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功率：1.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@75V
连续漏极电流：800mA
类型：P沟道
导通电阻：1.2Ω@800mA，10V
漏源电压：150V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN8601
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@50V
连续漏极电流：2.7A
类型：N沟道
导通电阻：109mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN86265P
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功率：1.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@75V
连续漏极电流：800mA
类型：P沟道
导通电阻：1.2Ω@800mA，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN8601
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功率：1.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@50V
连续漏极电流：2.7A
类型：N沟道
导通电阻：109mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDN8601
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功率：1.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@50V
连续漏极电流：2.7A
类型：N沟道
导通电阻：109mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
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行业应用：工业,汽车
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栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@50V
连续漏极电流：2.7A
类型：N沟道
导通电阻：109mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDN8601
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@50V
连续漏极电流：2.7A
类型：N沟道
导通电阻：109mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDN86265P
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功率：1.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：4.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@75V
连续漏极电流：800mA
类型：P沟道
导通电阻：1.2Ω@800mA，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN86265P
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功率：1.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：4.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@75V
连续漏极电流：800mA
类型：P沟道
导通电阻：1.2Ω@800mA，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
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栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@50V
连续漏极电流：2.7A
类型：N沟道
导通电阻：109mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
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品牌：ON SEMI
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN86265P
工作温度：-55℃~150℃
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栅极电荷：4.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@75V
连续漏极电流：800mA
类型：P沟道
导通电阻：1.2Ω@800mA，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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