品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":1246,"13+":9250,"14+":68500,"17+":74065}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDD04N50ZT4G
工作温度:-55℃~150℃
功率:61W
阈值电压:4.5V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:308pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:2.7Ω@1.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:1223
销售单位:个
规格型号(MPN):NDD04N60ZT4G
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@25V
连续漏极电流:4.1A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDTL01N60ZT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:4.5V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:92pF@25V
连续漏极电流:250mA
类型:N沟道
导通电阻:15Ω@400mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDDL01N60ZT4G
工作温度:-55℃~150℃
功率:26W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:4.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:92pF@25V
连续漏极电流:800mA
类型:N沟道
导通电阻:15Ω@400mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":1475,"12+":18761}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDD03N50ZT4G
工作温度:-55℃~150℃
功率:58W
阈值电压:4.5V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:329pF@25V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:3.3Ω@1.15A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":2497,"14+":2500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDD03N80ZT4G
工作温度:-55℃~150℃
功率:96W
阈值电压:4.5V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@25V
连续漏极电流:2.9A
类型:N沟道
导通电阻:4.5Ω@1.2A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":22500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDDL01N60ZT4G
工作温度:-55℃~150℃
功率:26W
阈值电压:4.5V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:92pF@25V
连续漏极电流:800mA
类型:N沟道
导通电阻:15Ω@400mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":1475,"12+":18761}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDD03N50ZT4G
工作温度:-55℃~150℃
功率:58W
阈值电压:4.5V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:329pF@25V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:3.3Ω@1.15A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":1246,"13+":9250,"14+":68500,"17+":74065}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDD04N50ZT4G
工作温度:-55℃~150℃
功率:61W
阈值电压:4.5V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:308pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:2.7Ω@1.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:1223
销售单位:个
规格型号(MPN):NDD04N60ZT4G
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@25V
连续漏极电流:4.1A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":22500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDDL01N60ZT4G
工作温度:-55℃~150℃
功率:26W
阈值电压:4.5V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:92pF@25V
连续漏极电流:800mA
类型:N沟道
导通电阻:15Ω@400mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:1223
销售单位:个
规格型号(MPN):NDD04N60ZT4G
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@25V
连续漏极电流:4.1A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":1246,"13+":9250,"14+":68500,"17+":74065}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDD04N50ZT4G
工作温度:-55℃~150℃
功率:61W
阈值电压:4.5V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:308pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:2.7Ω@1.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":2497,"14+":2500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDD03N80ZT4G
工作温度:-55℃~150℃
功率:96W
阈值电压:4.5V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@25V
连续漏极电流:2.9A
类型:N沟道
导通电阻:4.5Ω@1.2A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDD04N50ZT4G
工作温度:-55℃~150℃
功率:61W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:308pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:2.7Ω@1.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDD02N60ZT4G
工作温度:-55℃~150℃
功率:57W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:325pF@25V
连续漏极电流:2.2A
类型:N沟道
导通电阻:4.8Ω@1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDD03N80ZT4G
工作温度:-55℃~150℃
功率:96W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@25V
连续漏极电流:2.9A
类型:N沟道
导通电阻:4.5Ω@1.2A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDDL01N60ZT4G
工作温度:-55℃~150℃
功率:26W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:4.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:92pF@25V
连续漏极电流:800mA
类型:N沟道
导通电阻:15Ω@400mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDD03N80ZT4G
工作温度:-55℃~150℃
功率:96W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@25V
连续漏极电流:2.9A
类型:N沟道
导通电阻:4.5Ω@1.2A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDTL01N60ZT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:4.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:92pF@25V
连续漏极电流:250mA
类型:N沟道
导通电阻:15Ω@400mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDD03N50ZT4G
工作温度:-55℃~150℃
功率:58W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:329pF@25V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:3.3Ω@1.15A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"15+":3000}
规格型号(MPN):NDTL01N60ZT1G
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:250mA
类型:N沟道
阈值电压:4.5V@50µA
导通电阻:15Ω@400mA,10V
栅极电荷:4.9nC@10V
漏源电压:600V
输入电容:92pF@25V
ECCN:EAR99
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:1223
规格型号(MPN):NDD04N60ZT4G
功率:83W
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:29nC@10V
类型:N沟道
阈值电压:4.5V@50µA
连续漏极电流:4.1A
导通电阻:2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"16+":22500}
规格型号(MPN):NDDL01N60ZT4G
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:26W
连续漏极电流:800mA
类型:N沟道
阈值电压:4.5V@50µA
导通电阻:15Ω@400mA,10V
栅极电荷:4.9nC@10V
漏源电压:600V
输入电容:92pF@25V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:1223
规格型号(MPN):NDD04N60ZT4G
功率:83W
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:29nC@10V
类型:N沟道
阈值电压:4.5V@50µA
连续漏极电流:4.1A
导通电阻:2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDD03N50ZT4G
工作温度:-55℃~150℃
功率:58W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:329pF@25V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:3.3Ω@1.15A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDD03N80ZT4G
工作温度:-55℃~150℃
功率:96W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@25V
连续漏极电流:2.9A
类型:N沟道
导通电阻:4.5Ω@1.2A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":2497,"14+":2500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDD03N80ZT4G
工作温度:-55℃~150℃
功率:96W
阈值电压:4.5V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@25V
连续漏极电流:2.9A
类型:N沟道
导通电阻:4.5Ω@1.2A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDTL01N60ZT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:4.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:92pF@25V
连续漏极电流:250mA
类型:N沟道
导通电阻:15Ω@400mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDD03N40ZT4G
工作温度:-55℃~150℃
功率:37W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:6.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:140pF@50V
连续漏极电流:2.1A
类型:N沟道
导通电阻:3.4Ω@600mA,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存: