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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C680NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€19W
阈值电压：2.2V@13µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：7.5A€26A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：28mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C680NLWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€19W
阈值电压：2.2V@13µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：7.5A€26A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：28mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C680NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.4W€24W
阈值电压：2.2V@13µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：8.1A€21A
类型：N沟道
导通电阻：27.5mΩ@7.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTMFD5C680NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€19W
阈值电压：2.2V@13µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：7.5A€26A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：28mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NVMFS5C680NLWFT1G
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功率：3.4W€24W
阈值电压：2.2V@13µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：8.1A€21A
类型：N沟道
导通电阻：27.5mΩ@7.5A，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NVMFS5C680NLT1G
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栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：8.1A€21A
类型：N沟道
导通电阻：27.5mΩ@7.5A，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NVMFD5C680NLWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€19W
阈值电压：2.2V@13µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：7.5A€26A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：28mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NVMFS5C680NLT1G
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功率：3.4W€24W
阈值电压：2.2V@13µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：8.1A€21A
类型：N沟道
导通电阻：27.5mΩ@7.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：NVMFS5C680NLT1G
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功率：3.4W€24W
阈值电压：2.2V@13µA
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：8.1A€21A
类型：N沟道
导通电阻：27.5mΩ@7.5A，10V
漏源电压：60V
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规格型号(MPN)：NVMFD5C680NLWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€19W
阈值电压：2.2V@13µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：7.5A€26A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：28mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
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功率：3.4W€24W
阈值电压：2.2V@13µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：8.1A€21A
类型：N沟道
导通电阻：27.5mΩ@7.5A，10V
漏源电压：60V
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功率：3W€19W
阈值电压：2.2V@13µA
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输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：7.5A€26A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：28mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
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功率：3.4W€24W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：5.8nC@10V
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输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：8.1A€21A
类型：N沟道
导通电阻：27.5mΩ@7.5A，10V
漏源电压：60V
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栅极电荷：5.8nC@10V
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输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：8.1A€21A
类型：N沟道
导通电阻：27.5mΩ@7.5A，10V
漏源电压：60V
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连续漏极电流：7.5A€26A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：28mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
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连续漏极电流：8.1A€21A
类型：N沟道
导通电阻：27.5mΩ@7.5A，10V
漏源电压：60V
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输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：7.5A€26A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：28mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NVMFD5C680NLWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€19W
阈值电压：2.2V@13µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：7.5A€26A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：28mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C680NLWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.4W€24W
阈值电压：2.2V@13µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：8.1A€21A
类型：N沟道
导通电阻：27.5mΩ@7.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C680NLWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€19W
阈值电压：2.2V@13µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：7.5A€26A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：28mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C680NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€19W
阈值电压：2.2V@13µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：7.5A€26A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：28mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C680NLWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.4W€24W
阈值电压：2.2V@13µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：8.1A€21A
类型：N沟道
导通电阻：27.5mΩ@7.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFD5C680NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€19W
阈值电压：2.2V@13µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：7.5A€26A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：28mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFD5C680NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€19W
阈值电压：2.2V@13µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：7.5A€26A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：28mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C680NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.4W€24W
阈值电压：2.2V@13µA
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：8.1A€21A
类型：N沟道
导通电阻：27.5mΩ@7.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C680NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€19W
阈值电压：2.2V@13µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：7.5A€26A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：28mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFD5C680NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€19W
阈值电压：2.2V@13µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：7.5A€26A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：28mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFD5C680NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€19W
阈值电压：2.2V@13µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：7.5A€26A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：28mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C680NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.4W€24W
阈值电压：2.2V@13µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：8.1A€21A
类型：N沟道
导通电阻：27.5mΩ@7.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C680NLWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.4W€24W
阈值电压：2.2V@13µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：8.1A€21A
类型：N沟道
导通电阻：27.5mΩ@7.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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