品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C426NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€128W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4300pF@25V
连续漏极电流:41A€235A
类型:N沟道
导通电阻:1.3mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C456NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.6W€55W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1150pF@25V
连续漏极电流:20A€80A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@35A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C462NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€50W
阈值电压:3.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1020pF@25V
连续漏极电流:17.6A€70A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:5.4mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCMT299N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1948pF@380V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:299mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C410NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€166W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6100pF@25V
连续漏极电流:46A€300A
类型:N沟道
导通电阻:0.92mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C410NT3G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€166W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6100pF@25V
连续漏极电流:46A€300A
类型:N沟道
导通电阻:0.92mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C466NWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€37W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:625pF@25V
连续漏极电流:15A€49A
类型:N沟道
导通电阻:8.1mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C456NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.6W€55W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1150pF@25V
连续漏极电流:20A€80A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@35A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFSC0D9N04CL
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.1W€166W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6100pF@25V
连续漏极电流:50A€316A
类型:N沟道
导通电阻:0.87mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C456NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.6W€55W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1150pF@25V
连续漏极电流:20A€80A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@35A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD900N60Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:52W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:720pF@25V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@2.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C426NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€128W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4300pF@25V
连续漏极电流:41A€235A
类型:N沟道
导通电阻:1.3mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDC7003P
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:66pF@25V
连续漏极电流:340mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:5Ω@340mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C446NWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€89W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2450pF@25V
连续漏极电流:24A€127A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2.9mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C470NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€28W
阈值电压:3.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:420pF@25V
连续漏极电流:11.7A€36A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:11.7mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C466NWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€38W
阈值电压:3.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@25V
连续漏极电流:14A€49A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:8.1mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":5810,"21+":2925,"22+":6112,"24+":3000,"MI+":8521}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCMT299N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1948pF@380V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:299mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":10500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C466NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€38W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@25V
连续漏极电流:14A€49A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:8.1mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCMT299N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1948pF@380V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:299mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C430NWFAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€106W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3300pF@25V
连续漏极电流:35A€185A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C410NT3G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€166W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6100pF@25V
连续漏极电流:46A€300A
类型:N沟道
导通电阻:0.92mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCMT299N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1948pF@380V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:299mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C410NWFAFT3G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€166W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6100pF@25V
连续漏极电流:46A€300A
类型:N沟道
导通电阻:0.92mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C446NWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€89W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2450pF@25V
连续漏极电流:24A€127A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2.9mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C430NAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€106W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3300pF@25V
连续漏极电流:35A€185A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDC7003P
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:3.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:66pF@25V
连续漏极电流:340mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:5Ω@340mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C410NT3G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€166W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6100pF@25V
连续漏极电流:46A€300A
类型:N沟道
导通电阻:0.92mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD5802NT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W€93.75W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5025pF@25V
连续漏极电流:16.4A€101A
类型:N沟道
导通电阻:4.4mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C468NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€28W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:420pF@25V
连续漏极电流:12A€35A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C446NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€89W
阈值电压:3.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2450pF@25V
连续漏极电流:24A€127A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2.9mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: