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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C462NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€50W
阈值电压：3.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1020pF@25V
连续漏极电流：17.6A€70A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：5.4mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C446NWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€89W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2450pF@25V
连续漏极电流：24A€127A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2.9mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C470NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€28W
阈值电压：3.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：420pF@25V
连续漏极电流：11.7A€36A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：11.7mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C466NWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€38W
阈值电压：3.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@25V
连续漏极电流：14A€49A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：8.1mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：10500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C466NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€38W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@25V
连续漏极电流：14A€49A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：8.1mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C446NWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€89W
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ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2450pF@25V
连续漏极电流：24A€127A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2.9mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C446NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€89W
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输入电容：2450pF@25V
连续漏极电流：24A€127A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2.9mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NVMFD5C446NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€89W
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ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2450pF@25V
连续漏极电流：24A€127A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2.9mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C466NWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€38W
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@25V
连续漏极电流：14A€49A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：8.1mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C462NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€50W
阈值电压：3.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1020pF@25V
连续漏极电流：17.6A€70A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：5.4mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C466NWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€38W
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@25V
连续漏极电流：14A€49A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：8.1mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C446NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€89W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2450pF@25V
连续漏极电流：24A€127A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2.9mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：225000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C462NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€50W
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ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1020pF@25V
连续漏极电流：17.6A€70A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：5.4mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：10500}
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规格型号(MPN)：NVMFD5C466NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€38W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@25V
连续漏极电流：14A€49A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：8.1mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C446NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€89W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2450pF@25V
连续漏极电流：24A€127A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2.9mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NVMFD5C462NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€50W
阈值电压：3.5V@250µA
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输入电容：1020pF@25V
连续漏极电流：17.6A€70A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：5.4mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C446NWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€89W
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ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2450pF@25V
连续漏极电流：24A€127A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2.9mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C446NWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€89W
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ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2450pF@25V
连续漏极电流：24A€127A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2.9mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C446NWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€89W
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ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2450pF@25V
连续漏极电流：24A€127A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2.9mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C466NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€38W
阈值电压：3.5V@250µA
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输入电容：650pF@25V
连续漏极电流：14A€49A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：8.1mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C462NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€50W
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输入电容：1020pF@25V
连续漏极电流：17.6A€70A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：5.4mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：225000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C462NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€50W
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ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1020pF@25V
连续漏极电流：17.6A€70A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：5.4mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C466NWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€38W
阈值电压：3.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@25V
连续漏极电流：14A€49A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：8.1mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C446NWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€89W
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ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2450pF@25V
连续漏极电流：24A€127A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2.9mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C462NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€50W
阈值电压：3.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1020pF@25V
连续漏极电流：17.6A€70A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：5.4mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C446NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€89W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2450pF@25V
连续漏极电流：24A€127A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2.9mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C466NWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€38W
阈值电压：3.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@25V
连续漏极电流：14A€49A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：8.1mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：10500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C466NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€38W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@25V
连续漏极电流：14A€49A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：8.1mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C462NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€50W
阈值电压：3.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1020pF@25V
连续漏极电流：17.6A€70A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：5.4mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C466NWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€38W
阈值电压：3.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@25V
连续漏极电流：14A€49A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：8.1mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
