品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":1991,"19+":15300,"22+":1018,"MI+":3150}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH077N65F-F085
连续漏极电流:54A
导通电阻:77mΩ@27A,10V
工作温度:-55℃~150℃
功率:481W
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
栅极电荷:164nC@10V
漏源电压:650V
包装方式:管件
输入电容:7162pF@25V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):FQPF9N90CT
漏源电压:900V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
输入电容:2730pF@25V
功率:68W
导通电阻:1.4Ω@4A,10V
连续漏极电流:8A
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDA24N50F
漏源电压:500V
导通电阻:200mΩ@12A,10V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
栅极电荷:85nC@10V
输入电容:4310pF@25V
包装方式:管件
功率:270W
连续漏极电流:24A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"22+":316}
规格型号(MPN):FQA27N25
栅极电荷:65nC@10V
输入电容:2450pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
漏源电压:250V
导通电阻:110mΩ@13.5A,10V
包装方式:管件
功率:210W
连续漏极电流:27A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDA28N50F
栅极电荷:105nC@10V
漏源电压:500V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:28A
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
导通电阻:175mΩ@14A,10V
功率:310W
包装方式:管件
输入电容:5387pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD5N60TM-WS
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
导通电阻:950mΩ@2.3A,10V
连续漏极电流:4.6A
栅极电荷:16nC@10V
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
功率:54W
输入电容:600pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD3N50NZTM
漏源电压:500V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:8nC@10V
功率:40W
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@1.25A,10V
输入电容:280pF@25V
连续漏极电流:2.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:02+
规格型号(MPN):FQPF2N80
功率:35W
导通电阻:6.3Ω@750mA,10V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
输入电容:550pF@25V
连续漏极电流:1.5A
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH47N60-F133
输入电容:8000F@25V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:270nC@10V
功率:417W
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
连续漏极电流:47A
包装方式:管件
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
导通电阻:70mΩ@23.5A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):FQB5N90TM
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:900V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:40nC@10V
类型:N沟道
连续漏极电流:5.4A
功率:3.13W€158W
导通电阻:2.3Ω@2.7A,10V
输入电容:1550pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD620N60ZF
输入电容:1135pF@25V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:7.3A
功率:89W
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
栅极电荷:36nC@10V
漏源电压:600V
导通电阻:620mΩ@3.6A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):450psc
规格型号(MPN):FCA36N60NF
连续漏极电流:34.9A
导通电阻:95mΩ@18A,10V
输入电容:4245pF@100V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
包装方式:管件
栅极电荷:112nC@10V
漏源电压:600V
功率:312W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5N50TM-WS
漏源电压:500V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
输入电容:640pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@2A,10V
栅极电荷:15nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":7,"19+":1752,"20+":272367,"MI+":7200}
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):FCB11N60TM
导通电阻:380mΩ@5.5A,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
栅极电荷:52nC@10V
功率:125W
漏源电压:600V
输入电容:1490pF@25V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":4370,"18+":6684,"MI+":5000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF8N90C
漏源电压:900V
导通电阻:1.9Ω@3.15A,10V
栅极电荷:45nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
功率:60W
输入电容:2080pF@25V
包装方式:管件
连续漏极电流:6.3A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":1991,"19+":15300,"22+":1018,"MI+":3150}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH077N65F-F085
连续漏极电流:54A
导通电阻:77mΩ@27A,10V
工作温度:-55℃~150℃
功率:481W
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
栅极电荷:164nC@10V
漏源电压:650V
包装方式:管件
输入电容:7162pF@25V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"20+":905,"22+":4000,"MI+":1000}
规格型号(MPN):FQPF19N20
导通电阻:150mΩ@5.9A,10V
输入电容:1600pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:40nC@10V
类型:N沟道
功率:50W
包装方式:管件
ECCN:EAR99
连续漏极电流:11.8A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):FDB33N25TM
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
漏源电压:250V
连续漏极电流:33A
输入电容:2135pF@25V
功率:235W
栅极电荷:48nC@10V
导通电阻:94mΩ@16.5A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):FCP16N60
栅极电荷:70nC@10V
输入电容:2250pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
功率:167W
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
包装方式:管件
漏源电压:600V
导通电阻:260mΩ@8A,10V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:16A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH077N65F-F085
连续漏极电流:54A
导通电阻:77mΩ@27A,10V
工作温度:-55℃~150℃
功率:481W
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
栅极电荷:164nC@10V
漏源电压:650V
包装方式:管件
输入电容:7162pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF7N60NZT
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
类型:N沟道
包装方式:管件
导通电阻:1.25Ω@3.25A,10V
漏源电压:600V
输入电容:730pF@25V
功率:33W
连续漏极电流:6.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):FCPF20N60
连续漏极电流:20A
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:3080pF@25V
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@10A,10V
栅极电荷:98nC@10V
功率:39W
包装方式:管件
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF12N50T
漏源电压:500V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
连续漏极电流:11.5A
类型:N沟道
功率:42W
包装方式:管件
栅极电荷:30nC@10V
输入电容:1315pF@25V
导通电阻:650mΩ@6A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD3N40TM
输入电容:225pF@25V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
连续漏极电流:2A
栅极电荷:6nC@10V
导通电阻:3.4Ω@1A,10V
功率:30W
ECCN:EAR99
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDA18N50
漏源电压:500V
栅极电荷:60nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:2860pF@25V
功率:239W
阈值电压:5V@250µA
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
包装方式:管件
导通电阻:265mΩ@9.5A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"21+":800}
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):FDB2614
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7230pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
导通电阻:27mΩ@31A,10V
栅极电荷:99nC@10V
功率:260W
ECCN:EAR99
连续漏极电流:62A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD4N60TM
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
连续漏极电流:3.9A
功率:50W
栅极电荷:16.6nC@10V
输入电容:540pF@25V
漏源电压:600V
导通电阻:1.2Ω@2A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):FDPF18N20FT
连续漏极电流:18A
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
栅极电荷:26nC@10V
功率:41W
包装方式:管件
输入电容:1180pF@25V
导通电阻:140mΩ@9A,10V
ECCN:EAR99
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":1991,"19+":15300,"22+":1018,"MI+":3150}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH077N65F-F085
连续漏极电流:54A
导通电阻:77mΩ@27A,10V
工作温度:-55℃~150℃
功率:481W
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
栅极电荷:164nC@10V
漏源电压:650V
包装方式:管件
输入电容:7162pF@25V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):FDP39N20
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:39A
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
功率:251W
栅极电荷:49nC@10V
输入电容:2130pF@25V
导通电阻:66mΩ@19.5A,10V
包装方式:管件
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存: