首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    品牌
    阈值电压
    功率
    行业应用
    栅极电荷
    漏源电压
    连续漏极电流
    品牌: ON SEMI
    阈值电压: 850mV@250µA
    当前匹配商品:7
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    onsemi Mosfet场效应管 NTHD2110TT1G 起订1106个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTHD2110TT1G 起订1106个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"08+":45000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHD2110TT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:850mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1072pF@6V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:40mΩ@6.4A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS1135PT1G 起订1233个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS1135PT1G 起订1233个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"08+":14380,"10+":3000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTGS1135PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:970mW

    阈值电压:850mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2200pF@6V

    连续漏极电流:4.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:31mΩ@4.6A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS1135PT1G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS1135PT1G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"08+":14380,"10+":3000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTGS1135PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:970mW

    阈值电压:850mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2200pF@6V

    连续漏极电流:4.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:31mΩ@4.6A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTHD2110TT1G 起订1106个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTHD2110TT1G 起订1106个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHD2110TT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:850mV@250µA

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1072pF@6V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:40mΩ@6.4A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTHD2110TT1G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTHD2110TT1G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"08+":45000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHD2110TT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:850mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1072pF@6V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:40mΩ@6.4A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS1135PT1G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS1135PT1G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTGS1135PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:970mW

    阈值电压:850mV@250µA

    栅极电荷:21nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2200pF@6V

    连续漏极电流:4.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:31mΩ@4.6A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS1135PT1G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS1135PT1G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"08+":14380,"10+":3000}

    规格型号(MPN):NTGS1135PT1G

    包装方式:卷带(TR)

    栅极电荷:21nC@4.5V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:850mV@250µA

    功率:970mW

    导通电阻:31mΩ@4.6A,4.5V

    输入电容:2200pF@6V

    连续漏极电流:4.6A

    类型:P沟道

    漏源电压:8V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧