品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"08+":45000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHD2110TT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:850mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1072pF@6V
连续漏极电流:4.5A
类型:P沟道
导通电阻:40mΩ@6.4A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"08+":14380,"10+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTGS1135PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:970mW
阈值电压:850mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@6V
连续漏极电流:4.6A
类型:P沟道
导通电阻:31mΩ@4.6A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"08+":14380,"10+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTGS1135PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:970mW
阈值电压:850mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@6V
连续漏极电流:4.6A
类型:P沟道
导通电阻:31mΩ@4.6A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHD2110TT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:850mV@250µA
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1072pF@6V
连续漏极电流:4.5A
类型:P沟道
导通电阻:40mΩ@6.4A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"08+":45000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHD2110TT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:850mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1072pF@6V
连续漏极电流:4.5A
类型:P沟道
导通电阻:40mΩ@6.4A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTGS1135PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:970mW
阈值电压:850mV@250µA
栅极电荷:21nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@6V
连续漏极电流:4.6A
类型:P沟道
导通电阻:31mΩ@4.6A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"08+":14380,"10+":3000}
规格型号(MPN):NTGS1135PT1G
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:21nC@4.5V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:850mV@250µA
功率:970mW
导通电阻:31mΩ@4.6A,4.5V
输入电容:2200pF@6V
连续漏极电流:4.6A
类型:P沟道
漏源电压:8V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存: