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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR5103NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2.6V@250µA
栅极电荷：0.81nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@240mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR5103NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2.6V@250µA
栅极电荷：0.81nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@240mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：NTR5103NT1G
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功率：300mW
阈值电压：2.6V@250µA
栅极电荷：0.81nC@5V
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输入电容：40pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
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漏源电压：60V
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功率：300mW
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输入电容：40pF@25V
连续漏极电流：260mA
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工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2.6V@250µA
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输入电容：40pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
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漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTR5103NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.81nC@5V
包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@240mA，10V
漏源电压：60V
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功率：300mW
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连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@240mA，10V
漏源电压：60V
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功率：300mW
阈值电压：2.6V@250µA
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连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@240mA，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
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输入电容：40pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@240mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR5103NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
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输入电容：40pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
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漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR5103NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.81nC@5V
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输入电容：40pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@240mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR5103NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2.6V@250µA
栅极电荷：0.81nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@240mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：2723728，"MI+"：12000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA6676PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：2.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2160pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：13.5mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR5103NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2.6V@250µA
栅极电荷：0.81nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@240mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR5103NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2.6V@250µA
栅极电荷：0.81nC@5V
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输入电容：40pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@240mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR5103NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2.6V@250µA
栅极电荷：0.81nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@240mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR5103NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2.6V@250µA
栅极电荷：0.81nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@240mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR5103NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.81nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@240mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR5103NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.81nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@240mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR5103NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2.6V@250µA
栅极电荷：0.81nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@240mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：2723728，"MI+"：12000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA6676PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：2.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2160pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：13.5mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR5103NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2.6V@250µA
栅极电荷：0.81nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@240mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR5103NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2.6V@250µA
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输入电容：40pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@240mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR5103NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2.6V@250µA
栅极电荷：0.81nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@240mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：2723728，"MI+"：12000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA6676PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2160pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：13.5mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR5103NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
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输入电容：40pF@25V
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类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@240mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR5103NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.81nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@240mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA6676PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：2.6V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2160pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：13.5mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA6676PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：2.6V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2160pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：13.5mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR5103NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2.6V@250µA
栅极电荷：0.81nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@240mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
