品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVA4001NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1.5V@100µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20pF@5V
连续漏极电流:238mA
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@10mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTA7002NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1.5V@100µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20pF@5V
连续漏极电流:154mA
类型:N沟道
导通电阻:7Ω@154mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTA4001NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1.5V@100µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20pF@5V
连续漏极电流:238mA
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@10mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTA4001NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1.5V@100µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20pF@5V
连续漏极电流:238mA
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@10mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTS4001NT3G
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW
阈值电压:1.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.3nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@5V
连续漏极电流:270mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJD4001NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:272mW
阈值电压:1.5V@100µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@5V
连续漏极电流:250mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTS4001NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW
阈值电压:1.5V@100µA
栅极电荷:1.3nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@5V
连续漏极电流:270mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTJD4001NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:272mW
阈值电压:1.5V@100µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@5V
连续漏极电流:250mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTS4001NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW
阈值电压:1.5V@100µA
栅极电荷:1.3nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@5V
连续漏极电流:270mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTA7002NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1.5V@100µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20pF@5V
连续漏极电流:154mA
类型:N沟道
导通电阻:7Ω@154mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTS4001NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW
阈值电压:1.5V@100µA
栅极电荷:1.3nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@5V
连续漏极电流:270mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJD4158CT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:270mW
阈值电压:1.5V@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@5V
连续漏极电流:250mA€880mA
类型:N和P沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4.5V
漏源电压:30V€20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJD4001NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:272mW
阈值电压:1.5V@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@5V
连续漏极电流:250mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"03+":2785,"05+":81180}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTA4001NT1
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1.5V@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20pF@5V
连续漏极电流:238mA
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@10mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTJD4001NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:272mW
阈值电压:1.5V@100µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@5V
连续漏极电流:250mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTA7002NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1.5V@100µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20pF@5V
连续漏极电流:154mA
类型:N沟道
导通电阻:7Ω@154mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJD4158CT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:270mW
阈值电压:1.5V@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@5V
连续漏极电流:250mA€880mA
类型:N和P沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4.5V
漏源电压:30V€20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJD4001NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:272mW
阈值电压:1.5V@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@5V
连续漏极电流:250mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVS4001NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW
阈值电压:1.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.3nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@5V
连续漏极电流:270mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJD4001NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:272mW
阈值电压:1.5V@100µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@5V
连续漏极电流:250mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTA7002NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1.5V@100µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20pF@5V
连续漏极电流:154mA
类型:N沟道
导通电阻:7Ω@154mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":32446,"16+":5800}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTA7002NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1.5V@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20pF@5V
连续漏极电流:154mA
类型:N沟道
导通电阻:7Ω@154mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJD4158CT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:270mW
阈值电压:1.5V@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@5V
连续漏极电流:250mA€880mA
类型:N和P沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4.5V
漏源电压:30V€20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVS4001NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW
阈值电压:1.5V@100µA
栅极电荷:1.3nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@5V
连续漏极电流:270mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJD4001NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:272mW
阈值电压:1.5V@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@5V
连续漏极电流:250mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTA7002NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1.5V@100µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20pF@5V
连续漏极电流:154mA
类型:N沟道
导通电阻:7Ω@154mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJD4158CT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:270mW
阈值电压:1.5V@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@5V
连续漏极电流:250mA€880mA
类型:N和P沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4.5V
漏源电压:30V€20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVS4001NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW
阈值电压:1.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.3nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@5V
连续漏极电流:270mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTA7002NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1.5V@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20pF@5V
连续漏极电流:154mA
类型:N沟道
导通电阻:7Ω@154mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTA7002NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1.5V@100µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20pF@5V
连续漏极电流:154mA
类型:N沟道
导通电阻:7Ω@154mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: